參數(shù)資料
型號(hào)： IS42S81600A-10T
英文描述： 16Meg x 8, 8Meg x16 & 4Meg x 32 128-MBIT SYNCHRONOUS DRAM
中文描述： 16Meg × 8，8Meg x16
文件頁(yè)數(shù)： 62/65頁(yè)
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代理商： IS42S81600A-10T
66
XMEGA C3 [DATASHEET]
8361D–AVR–07/2013
The maximum CPU clock frequency depends on VCC. As shown in Figure 35-1 the Frequency vs. VCC curve is linear
between 1.8V < VCC < 2.7V.
Figure 35-1. Maximum Frequency vs. VCC.
1.8
12
32
MHz
V
2.7
3.6
1.6
Safe Operating Area
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IS42S81600A-10TI 16Meg x 8, 8Meg x16 & 4Meg x 32 128-MBIT SYNCHRONOUS DRAM
IC42S81600L-7T(G) 4(2)M x 8(16) Bits x 4 Banks (128-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM
IC42S81600L-7TI(G) 4(2)M x 8(16) Bits x 4 Banks (128-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM
IC42S81600L-8T(G) 4(2)M x 8(16) Bits x 4 Banks (128-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM
IC42S81600L-8TI(G) 4(2)M x 8(16) Bits x 4 Banks (128-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM
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參數(shù)描述
IS42S81600A-10TI 制造商:ICSI 制造商全稱:Integrated Circuit Solution Inc 功能描述:16Meg x 8, 8Meg x16 & 4Meg x 32 128-MBIT SYNCHRONOUS DRAM
IS42S81600A-10TL 制造商:ISSI 制造商全稱:Integrated Silicon Solution, Inc 功能描述:16Meg x 8, 8Meg x16 & 4Meg x 32 128-MBIT SYNCHRONOUS DRAM
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IS42S81600A-6TL 制造商:ISSI 制造商全稱:Integrated Silicon Solution, Inc 功能描述:16Meg x 8, 8Meg x16 & 4Meg x 32 128-MBIT SYNCHRONOUS DRAM
IS42S81600A-7T 制造商:ISSI 制造商全稱:Integrated Silicon Solution, Inc 功能描述:16Meg x 8, 8Meg x16 & 4Meg x 32 128-MBIT SYNCHRONOUS DRAM
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