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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | IS42S32200-7TI |
| 廠商： | INTEGRATED SILICON SOLUTION INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 512K Bits x 32 Bits x 4 Banks (64-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
| 中文描述： | 2M X 32 SYNCHRONOUS DRAM, 6 ns, PDSO86 |
| 封裝： | 0.400 INCH, TSOP2-86 |
| 文件頁數(shù)： | 35/55頁 |
| 文件大?。?/td> | 982K |
| 代理商： | IS42S32200-7TI |
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IS42S32200
ISSI
Integrated Silicon Solution, Inc. — 1-800-379-4774
ADVANCE INFORMATION
Rev. 00B
08/14/03
35
OPERATING FREQUENCY / LATENCY RELATIONSHIPS
SYMBOL PARAMETER
-6
-7.
UNITS
—
Clock Cycle Time
6
7
ns
—
Operating Frequency
166
143
MHz
t
CCD
READ/WRITE command to READ/WRITE command
1
1
cycle
t
CKED
CKE to clock disable or power-down entry mode
1
1
cycle
t
PED
CKE to clock enable or power-down exit setup mode
1
1
cycle
t
DQD
DQM to input data delay
0
0
cycle
t
DQM
DQM to data mask during WRITEs
0
0
cycle
t
DQZ
DQM to data high-impedance during READs
2
2
cycle
t
DWD
WRITE command to input data delay
0
0
cycle
t
DAL
Data-in to ACTIVE command
CL=3
CL=2
5
4
5
4
cycle
t
DPL
Data-in to PRECHARGE command
2
2
cycle
t
BDL
Last data-in to burst STOP command
1
1
cycle
t
CDL
Last data-in to new READ/WRITE command
1
1
cycle
t
RDL
Last data-in to PRECHARGE command
2
2
cycle
t
MRD
LOAD MODE REGISTER command
to ACTIVE or REFRESH command
2
2
cycle
t
ROH
Data-out to high-impedance from
PRECHARGE command
CL = 3
CL = 2
3
2
3
2
cycle
AC TEST CONDITIONS
(Input/Output Reference Level: 1.5V)
Input Load
Output Load
2.4V
1.4V
0.4V
CLK
INPUT
OUTPUT
t
CHI
t
CH
t
AC
t
OH
t
CS
t
CK
t
CL
2.4V
1.4V
1.4V
1.4V
0.4V
30pF
Z=50
Vtt= 1.4V
50
Output
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IS42S32400B-7TLI | 4Meg x 32 128-MBIT SYNCHRONOUS DRAM |
| IS42S32400B | 4Meg x 32 128-MBIT SYNCHRONOUS DRAM |
| IS42S32400B-6B | 4Meg x 32 128-MBIT SYNCHRONOUS DRAM |
| IS42S32400B-6BL | 4Meg x 32 128-MBIT SYNCHRONOUS DRAM |
| IS42S32400B-6T | 4Meg x 32 128-MBIT SYNCHRONOUS DRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IS42S32200B | 制造商:ISSI 制造商全稱:Integrated Silicon Solution, Inc 功能描述:512K Bits x 32 Bits x 4 Banks (64-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
| IS42S32200B-6T | 制造商:Integrated Silicon Solution Inc 功能描述:DRAM Chip SDRAM 64M-Bit 2Mx32 3.3V 86-Pin TSOP-II |
| IS42S32200B-6TI | 制造商:ISSI 制造商全稱:Integrated Silicon Solution, Inc 功能描述:512K Bits x 32 Bits x 4 Banks (64-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
| IS42S32200B-6TL | 制造商:Integrated Silicon Solution Inc 功能描述:DRAM Chip SDRAM 64M-Bit 2Mx32 3.3V 86-Pin TSOP-II |
| IS42S32200B-6TLI | 制造商:Integrated Silicon Solution Inc 功能描述:DRAM Chip SDRAM 64M-Bit 2Mx32 3.3V 86-Pin TSOP-II |
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