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參數(shù)資料
| 型號： | IS42S32200-7T |
| 廠商： | INTEGRATED SILICON SOLUTION INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 512K Bits x 32 Bits x 4 Banks (64-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
| 中文描述： | 2M X 32 SYNCHRONOUS DRAM, 6 ns, PDSO86 |
| 封裝： | 0.400 INCH, TSOP2-86 |
| 文件頁數(shù)： | 24/55頁 |
| 文件大小： | 982K |
| 代理商： | IS42S32200-7T |
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IS42S32200
ISSI
24
Integrated Silicon Solution, Inc. — 1-800-379-4774
ADVANCE INFORMATION
Rev. 00B
08/14/03
CLK
COMMAND
ADDRESS
DQ
T0
T1
T2
T3
WRITE
NOP
NOP
NOP
D
IN
n
D
IN
n+1
BANK,
COL n
DON'T CARE
CLK
COMMAND
ADDRESS
DQ
T0
T1
T2
WRITE
NOP
WRITE
D
IN
n
D
IN
n+1
D
IN
b
BANK,
COL n
BANK,
COL b
DON'T CARE
WRITE Burst
WRITE to WRITE
CLK
COMMAND
ADDRESS
DQ
T0
T1
T2
T3
WRITE
WRITE
WRITE
WRITE
D
IN
n
D
IN
b
D
IN
m
D
IN
x
BANK,
COL n
BANK,
COL b
BANK,
COL m
BANK,
COL x
Random WRITE Cycles
Burst length = 2 DQM ix low.
DQMx is low. Each Write Command.
May be to any bank.
DQMx is low. Each Write Command.
May be to any bank.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IS42S32200-7TI | 512K Bits x 32 Bits x 4 Banks (64-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
| IS42S32400B-7TLI | 4Meg x 32 128-MBIT SYNCHRONOUS DRAM |
| IS42S32400B | 4Meg x 32 128-MBIT SYNCHRONOUS DRAM |
| IS42S32400B-6B | 4Meg x 32 128-MBIT SYNCHRONOUS DRAM |
| IS42S32400B-6BL | 4Meg x 32 128-MBIT SYNCHRONOUS DRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IS42S32200-7TI | 制造商:ISSI 制造商全稱:Integrated Silicon Solution, Inc 功能描述:512K Bits x 32 Bits x 4 Banks (64-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
| IS42S32200B | 制造商:ISSI 制造商全稱:Integrated Silicon Solution, Inc 功能描述:512K Bits x 32 Bits x 4 Banks (64-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
| IS42S32200B-6T | 制造商:Integrated Silicon Solution Inc 功能描述:DRAM Chip SDRAM 64M-Bit 2Mx32 3.3V 86-Pin TSOP-II |
| IS42S32200B-6TI | 制造商:ISSI 制造商全稱:Integrated Silicon Solution, Inc 功能描述:512K Bits x 32 Bits x 4 Banks (64-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
| IS42S32200B-6TL | 制造商:Integrated Silicon Solution Inc 功能描述:DRAM Chip SDRAM 64M-Bit 2Mx32 3.3V 86-Pin TSOP-II |
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