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參數(shù)資料
| 型號： | IS42S16800B-7TLI |
| 廠商： | INTEGRATED SILICON SOLUTION INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 16Meg x 8, 8Meg x16 128-MBIT SYNCHRONOUS DRAM |
| 中文描述： | 8M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 5.4 ns, PDSO54 |
| 封裝： | 0.400 INCH, LEAD FREE, TSOP2-54 |
| 文件頁數(shù)： | 7/60頁 |
| 文件大?。?/td> | 585K |
| 代理商： | IS42S16800B-7TLI |
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Integrated Silicon Solution, Inc. — www.issi.com —
1-800-379-4774
Rev. E
05/01/06
7
ISSI
IS42S81600B, IS42S16800B
CKE
n-1
H
H
H
H
H
H
DQM
U
L
H
L
×
H
×
Function
Data write / output enable
Data mask / output disable
Upper byte write enable / output enable
Lower byte write enable / output enable
Upper byte write inhibit / output disable
Lower byte write inhibit / output disable
Note: H=V
IH
, L=V
IL
x= V
IH
or V
IL
, V = Valid Data.
n
×
×
×
×
×
×
L
L
H
×
L
×
H
CKE
n – 1
H
H
H
H
H
H
H
H
A11
Function
Device deselect (DESL)
No operation (NOP)
Burst stop (BST)
Read
Read with auto precharge
Write
Write with auto precharge
Bank activate (ACT)
Precharge select bank (PRE) H
Precharge all banks (PALL)
CBR Auto-Refresh (REF)
Self-Refresh (SELF)
Mode register set (MRS)
n
×
×
×
×
×
×
×
×
×
×
H
L
×
CS
H
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
RAS
×
H
H
H
H
H
H
L
L
L
L
L
L
CAS
×
H
H
L
L
L
L
H
H
H
L
L
L
WE
×
H
L
H
H
L
L
H
L
L
H
H
L
BA1
×
×
×
V
V
V
V
V
V
×
×
×
L
BA0
×
×
×
V
V
V
V
V
V
×
×
×
L
A10
×
×
×
L
H
L
H
V
L
H
×
×
L
A9 - A0
×
×
×
V
V
V
V
V
×
×
×
×
V
H
H
H
H
COMMAND TRUTH TABLE
DQM TRUTH TABLE
Note: H=V
IH
, L=V
IL
x= V
IH
or V
IL
, V = Valid Data.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IS42S81600B-6T | 16Meg x 8, 8Meg x16 128-MBIT SYNCHRONOUS DRAM |
| IS42S81600B-6TL | 16Meg x 8, 8Meg x16 128-MBIT SYNCHRONOUS DRAM |
| IS42S81600B-7T | 16Meg x 8, 8Meg x16 128-MBIT SYNCHRONOUS DRAM |
| IS42S81600B-7TI | 16Meg x 8, 8Meg x16 128-MBIT SYNCHRONOUS DRAM |
| IS42S81600B-7TL | 16Meg x 8, 8Meg x16 128-MBIT SYNCHRONOUS DRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IS42S16800B-7TLI-TR | 功能描述:動態(tài)隨機存取存儲器 128M 8Mx16 143Mhz RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲容量:16 MB 最大時鐘頻率: 訪問時間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube |
| IS42S16800B-7TL-TR | 功能描述:動態(tài)隨機存取存儲器 128M 8Mx16 143Mhz RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲容量:16 MB 最大時鐘頻率: 訪問時間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube |
| IS42S16800B-7T-TR | 功能描述:動態(tài)隨機存取存儲器 128M 8Mx16 143Mhz RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲容量:16 MB 最大時鐘頻率: 訪問時間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube |
| IS42S16800D | 制造商:ISSI 制造商全稱:Integrated Silicon Solution, Inc 功能描述:16Meg x 8, 8Meg x16 128-MBIT SYNCHRONOUS DRAM |
| IS42S16800D-6B | 功能描述:動態(tài)隨機存取存儲器 128M 8Mx16 166Mhz Commercial Temp RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲容量:16 MB 最大時鐘頻率: 訪問時間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube |
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