參數(shù)資料
型號: IS42S16800B-7TLI
廠商: INTEGRATED SILICON SOLUTION INC
元件分類: DRAM
英文描述: 16Meg x 8, 8Meg x16 128-MBIT SYNCHRONOUS DRAM
中文描述: 8M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 5.4 ns, PDSO54
封裝: 0.400 INCH, LEAD FREE, TSOP2-54
文件頁數(shù): 18/60頁
文件大小: 585K
代理商: IS42S16800B-7TLI
ISSI
18
Integrated Silicon Solution, Inc. — www.issi.com —
1-800-379-4774
Rev. E
05/01/06
IS42S81600B, IS42S16800B
AC TEST CONDITIONS
Input Load
Output Load
Output
Z
= 50
Ω
50 pF
1.4V
50
Ω
3.0V
1.4V
0V
CLK
INPUT
OUTPUT
t
CHI
t
CH
t
AC
t
OH
t
CS
t
CK
t
CL
3.0V
1.4V
1.4V
1.4V
0V
AC TEST CONDITIONS
Parameter
AC Input Levels
Input Rise and Fall Times
Input Timing Reference Level
Output Timing Measurement Reference Level
Rating
0V to 3.0V
1 ns
1.4V
1.4V
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PDF描述
IS42S81600B-6T 16Meg x 8, 8Meg x16 128-MBIT SYNCHRONOUS DRAM
IS42S81600B-6TL 16Meg x 8, 8Meg x16 128-MBIT SYNCHRONOUS DRAM
IS42S81600B-7T 16Meg x 8, 8Meg x16 128-MBIT SYNCHRONOUS DRAM
IS42S81600B-7TI 16Meg x 8, 8Meg x16 128-MBIT SYNCHRONOUS DRAM
IS42S81600B-7TL 16Meg x 8, 8Meg x16 128-MBIT SYNCHRONOUS DRAM
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參數(shù)描述
IS42S16800B-7TLI-TR 功能描述:動態(tài)隨機存取存儲器 128M 8Mx16 143Mhz RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲容量:16 MB 最大時鐘頻率: 訪問時間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube
IS42S16800B-7TL-TR 功能描述:動態(tài)隨機存取存儲器 128M 8Mx16 143Mhz RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲容量:16 MB 最大時鐘頻率: 訪問時間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube
IS42S16800B-7T-TR 功能描述:動態(tài)隨機存取存儲器 128M 8Mx16 143Mhz RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲容量:16 MB 最大時鐘頻率: 訪問時間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube
IS42S16800D 制造商:ISSI 制造商全稱:Integrated Silicon Solution, Inc 功能描述:16Meg x 8, 8Meg x16 128-MBIT SYNCHRONOUS DRAM
IS42S16800D-6B 功能描述:動態(tài)隨機存取存儲器 128M 8Mx16 166Mhz Commercial Temp RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲容量:16 MB 最大時鐘頻率: 訪問時間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube