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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | IS42S16800B-7TLI |
| 廠商： | INTEGRATED SILICON SOLUTION INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 16Meg x 8, 8Meg x16 128-MBIT SYNCHRONOUS DRAM |
| 中文描述： | 8M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 5.4 ns, PDSO54 |
| 封裝： | 0.400 INCH, LEAD FREE, TSOP2-54 |
| 文件頁數(shù)： | 56/60頁 |
| 文件大?。?/td> | 585K |
| 代理商： | IS42S16800B-7TLI |
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ISSI
56
Integrated Silicon Solution, Inc. — www.issi.com —
1-800-379-4774
Rev. E
05/01/06
IS42S81600B, IS42S16800B
WRITE - WITHOUT AUTO PRECHARGE
DON'T CARE
CLK
CKE
COMMAND
DQM/DQML
DQMH
A0-A9, A11
A10
BA0, BA1
DQ
t
CMS
t
CMH
t
AS
t
AH
t
AS
t
AH
t
AS
t
AH
t
RCD
t
RAS
t
RC
t
CH
t
CL
t
CK
t
CMS
t
CMH
t
CKS
t
CKH
ACTIVE
NOP
WRITE
NOP
NOP
NOP
PRECHARGE
NOP
ACTIVE
t
DPL
(3)
t
RP
COLUMN m
(2)
ROW
DISABLE AUTO PRECHARGE
BANK
ROW
ROW
ROW
BANK
t
DS
t
DH
t
DS
t
DH
t
DS
t
DH
t
DS
t
DH
D
IN
m
D
IN
m+
1
D
IN
m+
2
D
IN
m+
3
BANK
BANK
ALL BANKS
SINGLE BANK
T0
T1
T2
T3
T4
T5
T6
T7
T8
Notes:
1) Burst Length = 4
2) X16: A9 and A11 = "Don't Care"
X8: A11 = "Don't Care"
3) t
RAS
must not be violated.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IS42S81600B-6T | 16Meg x 8, 8Meg x16 128-MBIT SYNCHRONOUS DRAM |
| IS42S81600B-6TL | 16Meg x 8, 8Meg x16 128-MBIT SYNCHRONOUS DRAM |
| IS42S81600B-7T | 16Meg x 8, 8Meg x16 128-MBIT SYNCHRONOUS DRAM |
| IS42S81600B-7TI | 16Meg x 8, 8Meg x16 128-MBIT SYNCHRONOUS DRAM |
| IS42S81600B-7TL | 16Meg x 8, 8Meg x16 128-MBIT SYNCHRONOUS DRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IS42S16800B-7TLI-TR | 功能描述:動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 128M 8Mx16 143Mhz RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲(chǔ)容量:16 MB 最大時(shí)鐘頻率: 訪問時(shí)間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube |
| IS42S16800B-7TL-TR | 功能描述:動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 128M 8Mx16 143Mhz RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲(chǔ)容量:16 MB 最大時(shí)鐘頻率: 訪問時(shí)間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube |
| IS42S16800B-7T-TR | 功能描述:動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 128M 8Mx16 143Mhz RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲(chǔ)容量:16 MB 最大時(shí)鐘頻率: 訪問時(shí)間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube |
| IS42S16800D | 制造商:ISSI 制造商全稱:Integrated Silicon Solution, Inc 功能描述:16Meg x 8, 8Meg x16 128-MBIT SYNCHRONOUS DRAM |
| IS42S16800D-6B | 功能描述:動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 128M 8Mx16 166Mhz Commercial Temp RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲(chǔ)容量:16 MB 最大時(shí)鐘頻率: 訪問時(shí)間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube |
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