參數(shù)資料
型號(hào)： IS42S16100C1-7TI
廠商： INTEGRATED SILICON SOLUTION INC
元件分類： DRAM
英文描述： 512K Words x 16 Bits x 2 Banks (16-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM
中文描述： 1M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 5.5 ns, PDSO50
封裝： 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-50
文件頁(yè)數(shù)： 31/79頁(yè)
文件大?。?/td> 755K
代理商： IS42S16100C1-7TI
IS42S16100C1
ISSI
Integrated Silicon Solution, Inc. — www.issi.com —
1-800-379-4774
Rev. A
07/21/04
31
Write Cycle Interruption Using the
Precharge Command
A write cycle can be interrupted by the execution of the
precharge command before that cycle completes. The
delay time (t
WDL
) from the precharge command to the point
where burst input is invalid, i.e., the point where input data
is no longer written to device internal memory is zero clock
cycles regardless of the
CAS
.
To inhibit invalid write, the DQM signal must be asserted
HIGH with the precharge command.
This precharge command and burst write command must
be of the same bank, otherwise it is not precharge interrupt
but only another bank precharge of dual bank operation.
Inversely, to write all the burst data to the device, the
precharge command must be executed after the write
data recovery period (t
DPL
) has elapsed. Therefore, the
precharge command must be executed on one clock
cycle that follows the input of the last burst data item.
CAS
Latency
t
WDL
t
DPL
3
0
1
2
0
1
PRE 0
WRITE A0
COMMAND
DQM
DQ
CLK
D
IN
A0
D
IN
A1
D
IN
A2
D
IN
A3
t
WDL
=0
WRITE (CA=A, BANK 0)
PRECHARGE (BANK 0)
MASKED BY DQM
PRE 0
WRITE A0
COMMAND
DQ
CLK
D
IN
A0
D
IN
A1
D
IN
A2
D
IN
A3
t
DPL
WRITE (CA=A, BANK 0)
PRECHARGE (BANK 0)
CAS
latency = 2, burstlength = 4
CAS
latency = 3, burstlength = 4
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IS42S16100C1-7TL 512K Words x 16 Bits x 2 Banks (16-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM
IS42S16100C1-7TLI 512K Words x 16 Bits x 2 Banks (16-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM
IS42S16100 512K Words x 16 Bits x 2 Banks (16-MBIT)Synchronous DRAM(512K x 16 x 2組同步動(dòng)態(tài)RAM)
IS42S16128 128K Words x 16 Bits x 2 Banks (4-Mbit)Synchronous DRAM(128K x 16 x 2組同步動(dòng)態(tài)RAM)
IS42S16128-10T 128K Words x 16 Bits x 2 Banks (4-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IS42S16100C1-7TI-TR 功能描述:動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 16M 1Mx16 143Mhz RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲(chǔ)容量:16 MB 最大時(shí)鐘頻率: 訪問時(shí)間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube
IS42S16100C1-7TL 功能描述:動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 16M 1Mx16 143Mhz RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲(chǔ)容量:16 MB 最大時(shí)鐘頻率: 訪問時(shí)間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube
IS42S16100C1-7TLI 功能描述:動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 16M 1Mx16 143Mhz RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲(chǔ)容量:16 MB 最大時(shí)鐘頻率: 訪問時(shí)間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube
IS42S16100C1-7TLI-TR 功能描述:動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 16M 1Mx16 143Mhz RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲(chǔ)容量:16 MB 最大時(shí)鐘頻率: 訪問時(shí)間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube
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