參數(shù)資料
型號(hào)： IS42S16100C1-7T
廠商： INTEGRATED SILICON SOLUTION INC
元件分類： DRAM
英文描述： 512K Words x 16 Bits x 2 Banks (16-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM
中文描述： 1M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 5.5 ns, PDSO50
封裝： 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-50
文件頁數(shù)： 5/79頁
文件大?。?/td> 755K
代理商： IS42S16100C1-7T
IS42S16100C1
ISSI
Integrated Silicon Solution, Inc. — www.issi.com —
1-800-379-4774
Rev. A
07/21/04
5
DC ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(Recommended Operation Conditions unless otherwise noted.)
Symbol Parameter
I
IL
Input Leakage Current
Test Condition
0V
≤
V
IN
≤
VDD, with pins other than
the tested pin at 0V
Output is disabled, 0V
≤
V
OUT
≤
VDD
Speed
Min.
–5
Max.
5
Unit
μA
I
OL
V
OH
V
OL
I
CC1
Output Leakage Current
Output High Voltage Level I
OUT
= –2 mA
Output Low Voltage Level I
OUT
= +2 mA
Operating Current
(1,2)
–5
2.4
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
5
—
0.4
170
160
140
160
3
4
2
3
40
30
30
170
150
130
150
170
150
130
150
120
100
70
90
120
100
70
90
1
μA
V
V
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
m
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
One Bank Operation,
CAS
latency = 3 Com.
Burst Length=1
t
RC
≥
t
RC
(min.)
I
OUT
= 0mA
-5
-6
-7
-7
—
—
—
—
—
—
—
-5
-6
-7
-7
-5
-6
-7
-7
-5
-6
-7
-7
-5
-6
-7
-7
—
Com.
Com.
Ind.
Com.
Ind.
Com.
Ind.
I
CC2P
Precharge Standby CurrentCKE
≤
V
IL
(
MAX
)
t
CK
= t
CK
(
MIN
)
I
CC2PS
(In Power-Down Mode)
t
CK
=
∞
I
CC3N
I
CC3NS
Active Standby Current
(In Non Power-Down Mode)
CKE
≥
V
IH
(
MIN
)
t
CK
= t
CK
(
MIN
)
t
CK
=
∞
Com.
Ind.
I
CC4
Operating Current
(In Burst Mode)
(1)
t
CK
= t
CK
(
MIN
)
I
OUT
= 0mA
CAS
latency = 3 Com.
Com.
Com.
Ind.
CAS
latency = 2 Com.
Com.
Com.
Ind.
I
CC5
Auto-Refresh Current
t
RC
= t
RC
(
MIN
)
CAS
latency = 3 Com.
Com.
Com.
Ind.
CAS
latency = 2 Com.
Com.
Com.
Ind.
I
CC6
Notes:
1. These are the values at the minimum cycle time. Since the currents are transient, these values decrease as the cycle time
increases. Also note that a bypass capacitor of at least 0.01 μF should be inserted between V
DD
and GND for each
memory chip to suppress power supply voltage noise (voltage drops) due to these transient currents.
2. Icc
1
and Icc
4
depend on the output load. The maximum values for Icc
1
and Icc
4
are obtained with the output open state.
Self-Refresh Current
CKE
≤
0.2V
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IS42S16100C1-7TI 512K Words x 16 Bits x 2 Banks (16-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM
IS42S16100C1-7TL 512K Words x 16 Bits x 2 Banks (16-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM
IS42S16100C1-7TLI 512K Words x 16 Bits x 2 Banks (16-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM
IS42S16100 512K Words x 16 Bits x 2 Banks (16-MBIT)Synchronous DRAM(512K x 16 x 2組同步動(dòng)態(tài)RAM)
IS42S16128 128K Words x 16 Bits x 2 Banks (4-Mbit)Synchronous DRAM(128K x 16 x 2組同步動(dòng)態(tài)RAM)
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參數(shù)描述
IS42S16100C1-7TI 功能描述:動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 16M 1Mx16 143Mhz RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲(chǔ)容量:16 MB 最大時(shí)鐘頻率: 訪問時(shí)間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube
IS42S16100C1-7TI-TR 功能描述:動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 16M 1Mx16 143Mhz RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲(chǔ)容量:16 MB 最大時(shí)鐘頻率: 訪問時(shí)間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube
IS42S16100C1-7TL 功能描述:動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 16M 1Mx16 143Mhz RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲(chǔ)容量:16 MB 最大時(shí)鐘頻率: 訪問時(shí)間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube
IS42S16100C1-7TLI 功能描述:動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 16M 1Mx16 143Mhz RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲(chǔ)容量:16 MB 最大時(shí)鐘頻率: 訪問時(shí)間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube
IS42S16100C1-7TLI-TR 功能描述:動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 16M 1Mx16 143Mhz RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲(chǔ)容量:16 MB 最大時(shí)鐘頻率: 訪問時(shí)間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube
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