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參數(shù)資料
| 型號： | IS42S16100C1-7T |
| 廠商： | INTEGRATED SILICON SOLUTION INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 512K Words x 16 Bits x 2 Banks (16-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
| 中文描述： | 1M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 5.5 ns, PDSO50 |
| 封裝： | 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-50 |
| 文件頁數(shù)： | 4/79頁 |
| 文件大?。?/td> | 755K |
| 代理商： | IS42S16100C1-7T |
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IS42S16100C1
ISSI
4
Integrated Silicon Solution, Inc. — www.issi.com —
1-800-379-4774
Rev. A
07/21/04
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
(1)
Symbol
Parameters
Rating
Unit
V
DD
MAX
Maximum Supply Voltage
–1.0 to +4.6
V
V
DDQ
MAX
Maximum Supply Voltage for Output Buffer
–1.0 to +4.6
V
V
IN
Input Voltage
–1.0 to +4.6
V
V
OUT
Output Voltage
–1.0 to +4.6
V
P
D
MAX
Allowable Power Dissipation
1
W
I
CS
Output Shorted Current
50
mA
T
OPR
Operating Temperature
Com
Ind.
0 to +70
-40 to +85
°C
°C
T
STG
Storage Temperature
–55 to +150
°C
DC RECOMMENDED OPERATING CONDITIONS
(2)
(
At T
A
= 0 to +70°C)
Symbol
V
DD
, V
DDQ
V
IH
V
IL
Parameter
Supply Voltage
Input High Voltage
(3)
Input Low Voltage
(4)
Min.
3.0
2.0
-0.3
Typ.
3.3
—
—
Max.
3.6
V
DD
+ 0.3
+0.8
Unit
V
V
V
CAPACITANCE CHARACTERISTICS
(1,2)
(At T
A
= 0 to +25°C, VDD = VDDQ = 3.3 ± 0.3V, f = 1 MHz)
Symbol
C
IN
1
C
IN
2
CI/O
Notes:
1. Stress greater than those listed under ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS may cause permanent damage to the device. This
is a stress rating only and functional operation of the device at these or any other conditions above those indicated in the
operational sections of this specification is not implied. Exposure to absolute maximum rating conditions for extended
periods may affect reliability.
2. All voltages are referenced to GND.
3. V
IH
(max) = V
DDQ
+ 2.0V with a pulse width
≤
3 ns.
Parameter
Input Capacitance: A0-A11
Input Capacitance: (CLK, CKE,
CS
,
RAS
,
CAS
,
WE
, LDQM, UDQM)
Data Input/Output Capacitance: DQ0-DQ15
Typ.
—
—
—
Max.
4
4
5
Unit
pF
pF
pF
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IS42S16100C1-7TI | 512K Words x 16 Bits x 2 Banks (16-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
| IS42S16100C1-7TL | 512K Words x 16 Bits x 2 Banks (16-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
| IS42S16100C1-7TLI | 512K Words x 16 Bits x 2 Banks (16-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
| IS42S16100 | 512K Words x 16 Bits x 2 Banks (16-MBIT)Synchronous DRAM(512K x 16 x 2組同步動態(tài)RAM) |
| IS42S16128 | 128K Words x 16 Bits x 2 Banks (4-Mbit)Synchronous DRAM(128K x 16 x 2組同步動態(tài)RAM) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IS42S16100C1-7TI | 功能描述:動態(tài)隨機存取存儲器 16M 1Mx16 143Mhz RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲容量:16 MB 最大時鐘頻率: 訪問時間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube |
| IS42S16100C1-7TI-TR | 功能描述:動態(tài)隨機存取存儲器 16M 1Mx16 143Mhz RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲容量:16 MB 最大時鐘頻率: 訪問時間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube |
| IS42S16100C1-7TL | 功能描述:動態(tài)隨機存取存儲器 16M 1Mx16 143Mhz RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲容量:16 MB 最大時鐘頻率: 訪問時間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube |
| IS42S16100C1-7TLI | 功能描述:動態(tài)隨機存取存儲器 16M 1Mx16 143Mhz RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲容量:16 MB 最大時鐘頻率: 訪問時間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube |
| IS42S16100C1-7TLI-TR | 功能描述:動態(tài)隨機存取存儲器 16M 1Mx16 143Mhz RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲容量:16 MB 最大時鐘頻率: 訪問時間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube |
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