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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | IS42S16100C1-6T |
| 廠商： | INTEGRATED SILICON SOLUTION INC |
| 元件分類(lèi)： | DRAM |
| 英文描述： | 512K Words x 16 Bits x 2 Banks (16-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
| 中文描述： | 1M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 5.5 ns, PDSO50 |
| 封裝： | 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-50 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 7/79頁(yè) |
| 文件大小： | 755K |
| 代理商： | IS42S16100C1-6T |
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IS42S16100C1
ISSI
Integrated Silicon Solution, Inc. — www.issi.com —
1-800-379-4774
Rev. A
07/21/04
7
OPERATING FREQUENCY / LATENCY RELATIONSHIPS
SYMBOL
PARAMETER
-5
-6
-7
UNITS
—
Clock Cycle Time
5
6
7
ns
—
Operating Frequency
200
166
143
MHz
t
CAC
CAS
Latency
3
3
3
cycle
t
RCD
Active Command To Read/Write Command Delay Time
3
3
3
cycle
t
RAC
RAS
Latency (t
RCD
+ t
CAC
)
6
6
6
cycle
t
RC
Command Period (REF to REF / ACT to ACT)
9
9
9
cycle
t
RAS
Command Period (ACT to PRE)
6
6
6
cycle
t
RP
Command Period (PRE to ACT)
3
3
3
cycle
t
RRD
Command Period (ACT[0] to ACT [1])
3
3
3
cycle
t
CCD
Column Command Delay Time
(READ, READA, WRIT, WRITA)
1
1
1
cycle
t
DPL
Input Data To Precharge Command Delay Time
1
1
1
cycle
t
DAL
Input Data To Active/Refresh Command Delay Time
(During Auto-Precharge)
4
4
4
cycle
t
RBD
Burst Stop Command To Output in HIGH-Z Delay Time
(Read)
3
3
3
cycle
t
WBD
Burst Stop Command To Input in Invalid Delay Time
(Write)
0
0
0
cycle
t
RQL
Precharge Command To Output in HIGH-Z Delay Time
(Read)
3
3
3
cycle
t
WDL
Precharge Command To Input in Invalid Delay Time
(Write)
0
0
0
cycle
t
PQL
Last Output To Auto-Precharge Start Time (Read)
-2
–2
–1
cycle
t
QMD
DQM To Output Delay Time (Read)
2
2
2
cycle
t
DMD
DQM To Input Delay Time (Write)
0
0
0
cycle
t
MCD
Mode Register Set To Command Delay Time
2
2
2
cycle
AC TEST CONDITIONS
(Input/Output Reference Level: 1.4V)
Input
I/O
50
+1.4V
50 pF
Output Load
t
OH
t
AC
1.4V
1.4V
t
CH
t
CS
t
CK
t
CHI
t
CL
2.8V
1.4V
0.0V
2.8V
1.4V
0.0V
CLK
INPUT
OUTPUT
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IS42S16100C1-6TL | 512K Words x 16 Bits x 2 Banks (16-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IS42S16100C1-6TL | 功能描述:動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 16M 1Mx16 166Mhz RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲(chǔ)容量:16 MB 最大時(shí)鐘頻率: 訪問(wèn)時(shí)間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube |
| IS42S16100C1-6TL-TR | 功能描述:動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 16M 1Mx16 166Mhz RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲(chǔ)容量:16 MB 最大時(shí)鐘頻率: 訪問(wèn)時(shí)間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube |
| IS42S16100C1-6T-TR | 功能描述:動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 16M 1Mx16 166Mhz RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲(chǔ)容量:16 MB 最大時(shí)鐘頻率: 訪問(wèn)時(shí)間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube |
| IS42S16100C1-7B | 功能描述:動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 16M 1Mx16 143Mhz RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲(chǔ)容量:16 MB 最大時(shí)鐘頻率: 訪問(wèn)時(shí)間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube |
| IS42S16100C1-7BI | 功能描述:動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 16M 1Mx16 143Mhz RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲(chǔ)容量:16 MB 最大時(shí)鐘頻率: 訪問(wèn)時(shí)間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube |
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