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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | IS42S16100C1-6T |
| 廠商： | INTEGRATED SILICON SOLUTION INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 512K Words x 16 Bits x 2 Banks (16-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
| 中文描述： | 1M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 5.5 ns, PDSO50 |
| 封裝： | 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-50 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 29/79頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 755K |
| 代理商： | IS42S16100C1-6T |
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IS42S16100C1
ISSI
Integrated Silicon Solution, Inc. — www.issi.com —
1-800-379-4774
Rev. A
07/21/04
29
Interval Between Read and Write Commands
A read command can be interrupted and a new write
command executed while the read cycle is in progress,
i.e., before that cycle completes. Data corresponding to
the new write command can be input at the point new
write command is executed. To prevent collision
between input and output data at the DQn pins during
this operation, the
output data must be masked using the U/LDQM pins. The
interval (t
CCD
) between these commands must be at least
one clock cycle.
The selected bank must be set to the active state before
executing this command.
WRITE B0
READ A0
COMMAND
U/LDQM
DQ
CLK
D
IN
B0
D
IN
B2
D
IN
B1
D
IN
B3
t
CCD
HI-Z
READ (CA=A, BANK 0)
WRITE (CA=B, BANK 0)
CAS
latency = 2, 3, burstlength = 4
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PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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| IS42S16100C1-6TL-TR | 功能描述:動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 16M 1Mx16 166Mhz RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲(chǔ)容量:16 MB 最大時(shí)鐘頻率: 訪問時(shí)間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube |
| IS42S16100C1-6T-TR | 功能描述:動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 16M 1Mx16 166Mhz RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲(chǔ)容量:16 MB 最大時(shí)鐘頻率: 訪問時(shí)間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube |
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| IS42S16100C1-7BI | 功能描述:動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 16M 1Mx16 143Mhz RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲(chǔ)容量:16 MB 最大時(shí)鐘頻率: 訪問時(shí)間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube |
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