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參數(shù)資料
| 型號： | IS42S16100C1-6T |
| 廠商： | INTEGRATED SILICON SOLUTION INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 512K Words x 16 Bits x 2 Banks (16-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
| 中文描述： | 1M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 5.5 ns, PDSO50 |
| 封裝： | 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-50 |
| 文件頁數(shù)： | 44/79頁 |
| 文件大?。?/td> | 755K |
| 代理商： | IS42S16100C1-6T |
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IS42S16100C1
ISSI
44
Integrated Silicon Solution, Inc. — www.issi.com —
1-800-379-4774
Rev. A
07/21/04
Write Cycle
CLK
CKE
CS
RAS
CAS
WE
A0-A9
A10
A11
DQM
DQ
T0
T1
T2
T3
T4
T5
T7
T6
T8
T9
T10
t
CK
t
CHI
t
CL
t
CH
t
CS
t
CH
t
CS
t
CH
t
CS
t
CH
t
CS
t
AH
t
AS
BANK 1
BANK 0
BANK 0 OR 1
BANK 0 AND 1
NO PRE
t
CH
t
AH
t
AS
t
CS
t
DS
t
DS
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DS
t
DS
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DH
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ROW
ROW
ROW
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DH
t
DH
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RP
t
DPL
t
RCD
t
RAS
t
RC
D
IN
m
D
IN
m+2
D
IN
m+1
D
IN
m+3
BANK 1
BANK 0
BANK 1
BANK 0
BANK 1
BANK 0
(1)
C
A
S
latency = 2, burstlength = 4
Don't Care
Undefined
Note 1: A8,A9 = Don’t Care
.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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| IS42S16100C1-6TL-TR | 功能描述:動態(tài)隨機(jī)存取存儲器 16M 1Mx16 166Mhz RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲容量:16 MB 最大時鐘頻率: 訪問時間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube |
| IS42S16100C1-6T-TR | 功能描述:動態(tài)隨機(jī)存取存儲器 16M 1Mx16 166Mhz RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲容量:16 MB 最大時鐘頻率: 訪問時間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube |
| IS42S16100C1-7B | 功能描述:動態(tài)隨機(jī)存取存儲器 16M 1Mx16 143Mhz RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲容量:16 MB 最大時鐘頻率: 訪問時間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube |
| IS42S16100C1-7BI | 功能描述:動態(tài)隨機(jī)存取存儲器 16M 1Mx16 143Mhz RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲容量:16 MB 最大時鐘頻率: 訪問時間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube |
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