參數(shù)資料
型號(hào)： IS42G32256
廠商： Integrated Silicon Solution, Inc.
英文描述： 256K x 32 x 2 (16-Mbit) SYNCHRONOUS GRAPHICS RAM
中文描述： 256K × 32 × 2（16兆）同步圖形RAM
文件頁(yè)數(shù)： 37/52頁(yè)
文件大小： 456K
代理商： IS42G32256
IS42G32256
Integrated Silicon Solution, Inc.
ADVANCE INFORMATION
SR037-0C
09/10/98
37
ISSI
Figure 21. Page Read and Write Cycle Same Bank at Burst Length = 4
Notes:
1. To write data before burst read ends, DQM should be asserted three cycles prior to write command to avoid bus
contention.
2. Row precharge will interrupt writing. Last data input, t
RDL
before Row precharge, will be written.
3. DQM should mask invalid input data on precharge command cycle when asserting precharge before end of burst.
Input data after Row precharge cycle will be masked internally.
CLK
CKE
CS
RAS
CAS
A0-A8
WE
DSF
DQM
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
t
RP
Ra
Ca0
Cd0
Cb0
Cc0
Ra
A10
A9
t
CLD
t
RDL
HIGH
NOTE 2
NOTE 2
NOTE 1
NOTE 3
ROW ACTIVE
(A-BANK)
WRITE
(A-BANK)
WRITE
(A-BANK)
READ
(A-BANK)
READ
(A-BANK)
PRECHARGE
(A-BANK)
: DON’T CARE
DQ: CLOCK
LATENCY = 2
DQ: CLOCK
LATENCY = 3
Qa0
Qa1
Qb0
Qb1
Dc0
Dc1
Dd0
Dd1
Dc0
Dc1
Dd0
Dd1
Qa0
Qa1
Qb0
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IS42S16100C1 512K Words x 16 Bits x 2 Banks (16-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM
IS42S16100C1-5T 512K Words x 16 Bits x 2 Banks (16-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM
IS42S16100C1-5TL 512K Words x 16 Bits x 2 Banks (16-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM
IS42S16100C1-6T 512K Words x 16 Bits x 2 Banks (16-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM
IS42S16100C1-6TL 512K Words x 16 Bits x 2 Banks (16-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM
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參數(shù)描述
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IS42G32256-8PQ 制造商:Integrated Silicon Solution Inc 功能描述:
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IS42KS 制造商:IDEC Corporation 功能描述:SENS.IND. 10-30VDC NPN NC
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