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參數(shù)資料
| 型號： | IS42G32256-7PQ |
| 廠商： | INTEGRATED SILICON SOLUTION INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | POT 10K OHM 9MM VERT NO BUSHING |
| 中文描述： | 512K X 32 SYNCHRONOUS GRAPHICS RAM, 6 ns, PQFP100 |
| 封裝： | 14 X 20 MM , PLASTIC, QFP-100 |
| 文件頁數(shù)： | 43/52頁 |
| 文件大小： | 456K |
| 代理商： | IS42G32256-7PQ |
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IS42G32256
Integrated Silicon Solution, Inc.
ADVANCE INFORMATION
SR037-0C
09/10/98
43
ISSI
Figure 27. Read and Write Cycle with Auto Precharge at Burst Length = 4
Note:
1. t
RDL
should be controlled to meet minimum t
RAS
before internal precharge start (in the case of Burst Length = 1 and 2,
BRSW mode and Block write).
CLK
CKE
CS
RAS
CAS
A0-A8
WE
DSF
DQM
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
Ra
Rb
Cb
Ca
A10
A9
HIGH
ROW ACTIVE
(A-BANK)
ROW ACTIVE
(B-BANK)
AUTO PRECHARGE
START POINT
(A-BANK)
AUTO PRECHARGE
START POINT
(B-BANK)
WRITE WITH
AUTO PRECHARGE
(B-BANK)
READ
WITH AUTO
PRECHARGE
(A-BANK)
: DON’T CARE
DQ: CLOCK
LATENCY = 2
DQ: CLOCK
LATENCY = 3
Db0
Db1
Qa2
Qa3
Qa0
Qa1
Db2
Db3
Db0
Db1
Qa2
Qa3
Qa0
Qa1
Db2
Db3
Ra
Rb
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IS42G32256-8PQ | 256K x 32 x 2 (16-Mbit) SYNCHRONOUS GRAPHICS RAM |
| IS42G32256 | 256K x 32 x 2 (16-Mbit) SYNCHRONOUS GRAPHICS RAM |
| IS42S16100C1 | 512K Words x 16 Bits x 2 Banks (16-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
| IS42S16100C1-5T | 512K Words x 16 Bits x 2 Banks (16-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
| IS42S16100C1-5TL | 512K Words x 16 Bits x 2 Banks (16-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IS42G32256-8PQ | 制造商:Integrated Silicon Solution Inc 功能描述: |
| IS42K | 制造商:IDEC Corporation 功能描述:SENS.IND. 10-30VDC NPN NC |
| IS42KS | 制造商:IDEC Corporation 功能描述:SENS.IND. 10-30VDC NPN NC |
| IS42L | 制造商:IDEC Corporation 功能描述:SENS.IND. 10-30VDC NPN NC |
| IS42LS16800A | 制造商:ICSI 制造商全稱:Integrated Circuit Solution Inc 功能描述:16Meg x 8, 8Meg x16 & 4Meg x 32 128-MBIT SYNCHRONOUS DRAM |
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