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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | IS42G32256-7PQ |
| 廠商： | INTEGRATED SILICON SOLUTION INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | POT 10K OHM 9MM VERT NO BUSHING |
| 中文描述： | 512K X 32 SYNCHRONOUS GRAPHICS RAM, 6 ns, PQFP100 |
| 封裝： | 14 X 20 MM , PLASTIC, QFP-100 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 40/52頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 456K |
| 代理商： | IS42G32256-7PQ |
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IS42G32256
40
Integrated Silicon Solution, Inc.
ADVANCE INFORMATION
SR037-0C
09/10/98
ISSI
Figure 24. Page Read Cycle at Different Bank at Burst Length = 4
Notes:
1.
CS
can be “Don’t Care” when
RAS
,
CAS
, and
WE
are high at the clock high going edge.
2. To interrupt a burst read by row precharge, both the read and the precharge banks must be the same.
CLK
CKE
CS
RAS
CAS
A0-A8
WE
DSF
DQM
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
RAa
CAa
CAc
RBb
CBb
CAe
CBd
RAa
A10
A9
RBb
HIGH
HIGH
ROW ACTIVE
(A-BANK)
ROW
ACTIVE
(B-BANK)
READ
(A-BANK)
READ
(A-BANK)
READ
(B-BANK)
READ
(B-BANK)
READ
(A-BANK)
PRECHARGE
(A-BANK)
: DON’T CARE
DQ: CLOCK
LATENCY = 2
DQ: CLOCK
LATENCY = 3
NOTE 2
QBd0 QBd1 QAe0 QAe1
QBb2 QBb3
QBb0 QBb1
QAa2 QAa3
QAa0 QAa1
QAc0
QAc1
QBd0 QBd1 QAe0 QAe1
QBb2 QBb3
QBb0 QBb1
QAa2 QAa3
QAa0 QAa1
QAc0
QAc1
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IS42G32256-8PQ | 256K x 32 x 2 (16-Mbit) SYNCHRONOUS GRAPHICS RAM |
| IS42G32256 | 256K x 32 x 2 (16-Mbit) SYNCHRONOUS GRAPHICS RAM |
| IS42S16100C1 | 512K Words x 16 Bits x 2 Banks (16-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
| IS42S16100C1-5T | 512K Words x 16 Bits x 2 Banks (16-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
| IS42S16100C1-5TL | 512K Words x 16 Bits x 2 Banks (16-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IS42G32256-8PQ | 制造商:Integrated Silicon Solution Inc 功能描述: |
| IS42K | 制造商:IDEC Corporation 功能描述:SENS.IND. 10-30VDC NPN NC |
| IS42KS | 制造商:IDEC Corporation 功能描述:SENS.IND. 10-30VDC NPN NC |
| IS42L | 制造商:IDEC Corporation 功能描述:SENS.IND. 10-30VDC NPN NC |
| IS42LS16800A | 制造商:ICSI 制造商全稱:Integrated Circuit Solution Inc 功能描述:16Meg x 8, 8Meg x16 & 4Meg x 32 128-MBIT SYNCHRONOUS DRAM |
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