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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | IS41LV16100 |
| 廠商： | Integrated Silicon Solution, Inc. |
| 英文描述： | 1M x 16 DRAM With EDO Page Mode(3.3V,1Mx16帶擴(kuò)展數(shù)據(jù)輸出頁(yè)模式動(dòng)態(tài)RAM) |
| 中文描述： | 100萬(wàn)× 16的DRAM與江戶頁(yè)面模式（3.3伏，1Mx16帶擴(kuò)展數(shù)據(jù)輸出頁(yè)模式動(dòng)態(tài)內(nèi)存） |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 15/20頁(yè) |
| 文件大小： | 172K |
| 代理商： | IS41LV16100 |
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IS41C16100
IS41LV16100
Integrated Silicon Solution, Inc.
—
1-800-379-4774
Rev. F
03/08/00
15
ISSI
EDO-PAGE-MODE READ-WRITE CYCLE
(LATE WRITE and READ-MODIFY WRITE Cycles)
Note:
1. t
PC
can be measured from falling edge of
CAS
to falling edge of
CAS
, or from rising edge of
CAS
to rising edge of
CAS
. Both
measurements must meet the t
PC
specifications.
t
RASP
t
RP
ADDRESS
UCAS/LCAS
RAS
Row
Row
t
CAS,
t
CLCH
t
CRP
t
RCD
t
CSH
t
CP
t
CAS,
t
CLCH
t
CAH
t
CAS,
t
CLCH
t
RAL
t
RSH
t
CP
t
CP
t
PC
t
ASR
t
RAH
t
RAD
t
AR
t
ACH
Column
Column
t
ACH
t
ACH
t
CAH
t
CAH
Column
t
ASC
t
ASC
OE
I/O
WE
Valid Data
t
ASC
t
WCS
t
WCH
t
CWL
t
WP
t
WCS
t
WCH
t
CWL
t
WP
t
DS
t
DH
t
DHR
t
WCR
t
WCS
t
WCH
t
CWL
t
WP
Valid Data
t
DS
t
DH
Valid Data
t
DS
t
RWL
t
DH
Don’t Care
Undefined
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IS41LV16105 | 1M x 16 DRAM With Fast Page Mode(3.3V,1Mx16帶快速頁(yè)模式動(dòng)態(tài)RAM) |
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參數(shù)描述 |
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