參數(shù)資料
型號(hào)： IRLR7821PBF
廠商： International Rectifier
英文描述： Replacement for Texas Instruments part number SN74LS161AN. Buy from authorized manufacturer Rochester Electronics.
中文描述： ㈢的HEXFET功率MOSFET
文件頁(yè)數(shù)： 7/12頁(yè)
文件大?。?/td> 329K
代理商： IRLR7821PBF
www.irf.com
7
Fig 15.
for N-Channel
HEXFET Power MOSFETs
P.W.
Period
di/dt
Diode Recovery
dv/dt
Ripple
≤
5%
Body Diode
Forward Drop
Re-Applied
Reverse
Recovery
Body Current
V
GS
=10V
V
DD
I
SD
Driver Gate Drive
D.U.T. I
SD
Waveform
D.U.T. V
DS
Waveform
Inductor Curent
D =
P.W.
Period
+
-
+
+
+
-
-
-
!"#
$%&%%
%&%%( &
"''
Fig 16.
Gate Charge Waveform
Vds
Vgs
Id
Vgs(th)
Qgs1 Qgs2
Qgd
Qgodr
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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IRLR8113 HEXFET Power MOSFET
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IRLR8503PBF HEXFET Power MOSFET
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參數(shù)描述
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IRLR7821TRHR 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 30V 65A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 30V 65A 3PIN DPAK - Tape and Reel
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IRLR7821TRLPBF 功能描述:MOSFET MOSFT 30V 65A 10mOhm 10nC Log Lvl RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRLR7821TRPBF 功能描述:MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 10mOhms 10nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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