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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | IRLP3803 |
| 廠商： | International Rectifier |
| 英文描述： | HEXFET Power MOSFET(HEXFET 功率MOS場(chǎng)效應(yīng)管) |
| 中文描述： | HEXFET功率MOSFET（馬鞍山的HEXFET功率場(chǎng)效應(yīng)管） |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 7/8頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 149K |
| 代理商： | IRLP3803 |
Fig 14.
For N-Channel HEXFETS
*
V
GS
= 5V for Logic Level Devices
Peak Diode Recovery dv/dt Test Circuit
R
G
V
DD
dv/dt controlled by R
G
Driver same type as D.U.T.
I
SD
controlled by Duty Factor "D"
D.U.T. - Device Under Test
D.U.T
Circuit Layout Considerations
Low Stray Inductance
Ground Plane
Low Leakage Inductance
Current Transformer
*
IRLP3803
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