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參數(shù)資料
| 型號： | IRLP3803 |
| 廠商： | International Rectifier |
| 英文描述： | HEXFET Power MOSFET(HEXFET 功率MOS場效應管) |
| 中文描述： | HEXFET功率MOSFET（馬鞍山的HEXFET功率場效應管） |
| 文件頁數(shù)： | 4/8頁 |
| 文件大?。?/td> | 149K |
| 代理商： | IRLP3803 |
Fig 7.
Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
Fig 5.
Typical Capacitance Vs.
Drain-to-Source Voltage
Fig 8.
Maximum Safe Operating Area
Fig 6.
Typical Gate Charge Vs.
Gate-to-Source Voltage
IRLP3803
0
3
6
9
12
15
0
40
Q , Total Gate Charge (nC)
80
120
160
200
V
G
A
FOR TEST CIRCUIT
SEE FIGURE 13
V = 24V
V = 15V
I = 71A
10
100
1000
0.4
0.8
V , Source-to-Drain Voltage (V)
1.2
1.6
2.0
2.4
2.8
3.2
T = 25°C
V = 0V
I
S
A
T = 175°C
10
100
1000
1
10
100
V , Drain-to-Source Voltage (V)
I
D
OPERATION IN THIS AREA LIMITED
BY R
DS(on)
10μs
100μs
1ms
10ms
A
T = 25°C
T = 175°C
Single Pulse
0
2000
4000
6000
8000
10000
1
10
100
C
V , Drain-to-Source Voltage (V)
A
V = 0V, f = 1MHz
C = C + C , C SHORTED
C = C
C = C + C
C
iss
C
oss
C
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