參數(shù)資料
型號： IRLL2705PBF
廠商： International Rectifier
英文描述： HEXFET POWER MOSFET ( VDSS = 55V , RDS(on) = 0.04ヘ , ID = 3.8A )
中文描述： HEXFET功率MOSFET（減振鋼板基本\u003d 55V的，的RDS（on）\u003d 0.04ヘ，身份證\u003d 3.8A）
文件頁數(shù)： 5/9頁
文件大小： 232K
代理商： IRLL2705PBF
www.irf.com
5
+
-
7
7
≤ 1
≤ 0.1 %
!
7
7
%L5
%&
Q
G
Q
GS
Q
GD
V
G
Charge
D.U.T.
V
DS
I
D
I
G
3mA
V
GS
.3
μ
F
50K
.2
μ
F
12V
Current Regulator
Same Type as D.U.T.
Current Sampling Resistors
+
-
V
DS
90%
10%
V
GS
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
$'(
$
)!'(
!
*(+,- .
0.01
0.00001
0.1
1
10
100
1000
0.0001
0.001
0.01
t , Rectangular Pulse Duration (sec)
0.1
1
10
100
1000
10000
D = 0.50
0.01
0.02
0.05
0.10
0.20
SINGLE PULSE
(THERMAL RESPONSE)
A
T
t
P
t
2
1
t
DM
Notes:
1. Duty factor D = t / t
2
2. Peak T = P x Z + T
A
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PDF描述
IRLL3303PBF HEXFET Power MOSFET
IRLML2402PBF HEXFET Power MOSFET
IRLML2502PBF HEXFET Power MOSFET
IRLML2803PBF HEXFET Power MOSFET
IRLML5103PBF HEXFET-R POWER MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRLL2705TR 功能描述:MOSFET N-CH 55V 3.8A SOT223 RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
IRLL2705TRHR 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 55V 5.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 55V 5.2A 4PIN SOT-223 - Tape and Reel
IRLL2705TRPBF 功能描述:MOSFET MOSFT 55V 3.8A 40mOhm 32nC Log Lvl RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRLL2705TRPBF-CUT TAPE 制造商:IR 功能描述:Single N-Channel 55 V 2.1 W 32 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - SOT-223-3
IRLL3303 功能描述:MOSFET N-CH 30V 4.6A SOT223 RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
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