參數(shù)資料
型號(hào)： IRLL2705PBF
廠商： International Rectifier
英文描述： HEXFET POWER MOSFET ( VDSS = 55V , RDS(on) = 0.04ヘ , ID = 3.8A )
中文描述： HEXFET功率MOSFET（減振鋼板基本\u003d 55V的，的RDS（on）\u003d 0.04ヘ，身份證\u003d 3.8A）
文件頁(yè)數(shù)： 3/9頁(yè)
文件大小： 232K
代理商： IRLL2705PBF
www.irf.com
3
1
10
100
0.1
1
10
100
20μs PULSE WIDTH
T = 25°C
A
V , Drain-to-Source Voltage (V)
3.0V
VGS
D
I
1
10
100
0.1
1
10
100
A
V , Drain-to-Source Voltage (V)
D
I
20μs PULSE WIDTH
T = 150°C
3.0V
VGS
1
10
100
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
T = 25°C
T = 150°C
V , Gate-to-Source Voltage (V)
D
I
A
V = 25V
20μs PULSE WIDTH
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
-60
-40
-20
0
20
40
60
80
100 120 140 160
T , Junction Temperature (°C)
R
D
(
V = 10V
A
I = 3.8A
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRLL3303PBF HEXFET Power MOSFET
IRLML2402PBF HEXFET Power MOSFET
IRLML2502PBF HEXFET Power MOSFET
IRLML2803PBF HEXFET Power MOSFET
IRLML5103PBF HEXFET-R POWER MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRLL2705TR 功能描述:MOSFET N-CH 55V 3.8A SOT223 RoHS:否 類(lèi)別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門(mén) 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
IRLL2705TRHR 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 55V 5.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 55V 5.2A 4PIN SOT-223 - Tape and Reel
IRLL2705TRPBF 功能描述:MOSFET MOSFT 55V 3.8A 40mOhm 32nC Log Lvl RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRLL2705TRPBF-CUT TAPE 制造商:IR 功能描述:Single N-Channel 55 V 2.1 W 32 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - SOT-223-3
IRLL3303 功能描述:MOSFET N-CH 30V 4.6A SOT223 RoHS:否 類(lèi)別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門(mén) 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
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