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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | IRHF7430SE |
| 廠商： | International Rectifier |
| 英文描述： | N-Channel Single Event Effect (SEE) Rad Hard HEXFET Transistor(N 溝道 單事件效應(yīng) Rad Hard HEXFET技術(shù)晶體管) |
| 中文描述： | N通道單粒子效應(yīng)（見(jiàn)）拉德硬的HEXFET晶體管（不適用溝道單事件效應(yīng)拉德硬盤(pán)的HEXFET技術(shù)晶體管） |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 6/8頁(yè) |
| 文件大小： | 91K |
| 代理商： | IRHF7430SE |
IRHF7430SE Devices
Pre-Irradiation
6
www.irf.com
Fig 10a.
Switching Time Test Circuit
V
DS
90%
10%
V
GS
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
Fig 10b.
Switching Time Waveforms
V
DS
Pulse Width
≤ 1
μs
Duty Factor
≤ 0.1 %
R
D
V
GS
R
G
D.U.T.
12V
+
-
V
DD
Fig 11.
Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Case
Fig 9.
Maximum Drain Current Vs.
Case Temperature
0.01
0.00001
0.1
1
10
0.0001
0.001
t , Rectangular Pulse Duration (sec)
0.01
0.1
1
10
Notes:
1. Duty factor D = t / t
2. Peak T =P
x Z
+ T
2
DM
thJC
C
P
t
t
DM
1
2
T
t
0.01
0.02
0.05
0.10
0.20
D = 0.50
SINGLE PULSE
(THERMAL RESPONSE)
25
50
T , Case Temperature
75
100
125
(°
150
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
I
D
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