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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | IRHF7430SE |
| 廠商： | International Rectifier |
| 英文描述： | N-Channel Single Event Effect (SEE) Rad Hard HEXFET Transistor(N 溝道 單事件效應(yīng) Rad Hard HEXFET技術(shù)晶體管) |
| 中文描述： | N通道單粒子效應(yīng)（見）拉德硬的HEXFET晶體管（不適用溝道單事件效應(yīng)拉德硬盤的HEXFET技術(shù)晶體管） |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 4/8頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 91K |
| 代理商： | IRHF7430SE |
IRHF7430SE Devices
Pre-Irradiation
4
www.irf.com
Fig 4.
Normalized On-Resistance
Vs. Temperature
Fig 2.
Typical Output Characteristics
Fig 1.
Typical Output Characteristics
Fig 3.
Typical Transfer Characteristics
0.01
0.1
1
10
0.1
1
10
100
20μs PULSE WIDTH
T = 25 C
TOP
BOTTOM
VGS
7.0V
V , Drain-to-Source Voltage (V)
I
D
5.0V
0.01
0.1
1
10
0.1
1
10
100
20μs PULSE WIDTH
T = 150 C
J
TOP
BOTTOM
VGS
6.0V
V , Drain-to-Source Voltage (V)
I
D
5.0V
0.1
1
10
5
6
7
8
9
10
11
VDS
20μs PULSE WIDTH
V , Gate-to-Source Voltage (V)
I
D
T = 25 C
°
T = 150 C
°
-60 -40 -20
0
20
40
60
80 100 120 140 160
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
T , Junction Temperature ( C)
R
(
D
V
=
I
=
GS
D
12V
2.6A
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