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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | IRGB8B60KPbF |
| 廠商： | International Rectifier |
| 英文描述： | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR |
| 中文描述： | 絕緣柵雙極晶體管 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 7/13頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 461K |
| 代理商： | IRGB8B60KPBF |
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IRGB/S/SL8B60KPbF
www.irf.com
7
Fig 18.
Maximum Transient Thermal Impedance, Junction-to-Case (IGBT)
1E-006
1E-005
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
t1 , Rectangular Pulse Duration (sec)
0.001
0.01
0.1
1
10
T
0.20
0.10
0.05
D = 0.50
0.02
0.01
SINGLE PULSE
( THERMAL RESPONSE )
Notes:
1. Duty Factor D = t1/t2
2. Peak Tj = P dm x Zthjc + Tc
Ri (°C/W)
τ
i (sec)
0.491 0.000190
0.409 0.001153
τ
J
τ
J
τ
1
τ
1
τ
2
τ
2
R
1
R
1
R
2
R
2
τ
τ
C
Ci= i
/
Ri
Ci=
i
/
Ri
Fig. 16
- Typ. Capacitance vs. V
CE
V
GE
= 0V; f = 1MHz
1
10
100
VCE (V)
1
10
100
1000
C
Cies
Coes
Cres
Fig. 17
- Typical Gate Charge
vs. V
GE
I
CE
= 8.0A; L = 600μH
0
5
10
15
20
25
30
Q G, Total Gate Charge (nC)
0
2
4
6
8
10
12
14
16
VG
300V
400V
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRGB8B60K | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR |
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參數(shù)描述 |
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