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參數(shù)資料
| 型號： | IRGB8B60KPbF |
| 廠商： | International Rectifier |
| 英文描述： | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR |
| 中文描述： | 絕緣柵雙極晶體管 |
| 文件頁數(shù)： | 3/13頁 |
| 文件大?。?/td> | 461K |
| 代理商： | IRGB8B60KPBF |
IRGB/S/SL8B60KPbF
www.irf.com
3
Fig. 1
- Maximum DC Collector Current vs.
Case Temperature
Fig. 2
- Power Dissipation vs. Case
Temperature
Fig. 3
- Forward SOA
T
C
= 25°C; T
J
≤
150°C
Fig. 4
- Reverse Bias SOA
T
J
= 150°C; V
GE
=15V
10
100
1000
VCE (V)
0
1
10
100
IC
1
10
100
1000
10000
VCE (V)
0.01
0.1
1
10
100
IC
100 μs
10ms
DC
1ms
0
20
40
60
80 100 120 140 160 180
TC (°C)
0
5
10
15
20
25
30
35
IC
0
20
40
60
80 100 120 140 160 180
TC (°C)
0
25
50
75
100
125
150
175
Pt
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRGB8B60K | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR |
| IRGS8B60K | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR |
| IRGSL8B60K | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR |
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| IRGBC20MD2-S | Aluminum Screw Terminal Permissable Abnormal Voltage Capacitor; Capacitance: 100uF; Voltage: 450V; Case Size: 22x30 mm; Packaging: Bulk |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| IRGBC20F | 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, @Vge=15V, Ic=9.0A) |
| IRGBC20FD2 | 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:IRGBC20FD2 |
| IRGBC20K | 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:Fit Rate / Equivalent Device Hours |
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