參數(shù)資料
型號： IRGB6B60KPBF
廠商： International Rectifier
英文描述： INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
中文描述： 絕緣柵雙極晶體管
文件頁數(shù)： 6/14頁
文件大?。?/td> 300K
代理商： IRGB6B60KPBF
IRGB/S/SL6B60KPbF
6
www.irf.com
Fig. 13
- Typ. Switching Time vs. I
C
T
J
= 150°C; L=1.4mH; V
CE
= 400V
R
G
= 100
; V
GE
= 15V
Fig. 12
- Typ. Energy Loss vs. I
C
T
J
= 150°C; L=1.4mH; V
CE
= 400V
R
G
= 100
; V
GE
= 15V
Fig. 15
- Typ. Switching Time vs. R
G
T
J
= 150°C; L=1.4mH; V
CE
= 400V
I
CE
= 5.0A; V
GE
= 15V
Fig. 14
- Typ. Energy Loss vs. R
G
T
J
= 150°C; L=1.4mH; V
CE
= 400V
I
CE
= 5.0A; V
GE
= 15V
0
50
100
150
200
RG (
)
0
50
100
150
200
250
E
EON
EOFF
0
5
10
15
20
IC (A)
0
100
200
300
400
500
600
700
E
EOFF
EON
0
5
10
15
20
IC (A)
1
10
100
1000
S
tR
tdOFF
tF
tdON
0
50
100
150
200
RG (
)
1
10
100
1000
S
tR
tF
tdOFF
tdON
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRGB8B60KPbF INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
IRGB8B60K INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
IRGS8B60K INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
IRGSL8B60K INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
IRGBC20K Aluminum Screw Terminal Permissable Abnormal Voltage Capacitor; Capacitance: 4700uF; Voltage: 400V; Case Size: 76.2x110 mm; Packaging: Bulk
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參數(shù)描述
IRGB8B60K 制造商:International Rectifier 功能描述:IGBT TO-220AB
IRGB8B60KPBF 功能描述:IGBT 晶體管 600V UltraFast 10-30kHz RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IRGBC20 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, @Vge=15V, Ic=9.0A)
IRGBC20F 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, @Vge=15V, Ic=9.0A)
IRGBC20FD2 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:IRGBC20FD2
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