參數(shù)資料
型號： IRGB430U
廠商： International Rectifier
英文描述： INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=500V, @Vge=15V, Ic=15A)
中文描述： 絕緣柵雙極晶體管（VCES和\u003d的500V，@和VGE \u003d 15V的，集成電路\u003d 15A條）
文件頁數(shù)： 8/8頁
文件大?。?/td> 425K
代理商： IRGB430U
C-632
IRGB430UD2
t1
Ic
Vce
t1
t2
90% Ic
10% Vce
td(off)
tf
Ic
5% Ic
t1+5μS
Vce ic dt
∫
90% Vge
+Vge
Eoff =
Fig. 18b
-
Test Waveforms for Circuit of Fig. 18a, Defining
E
off
, t
d(off)
, t
f
Same type
D.U.T.
430μF
80%
Fig. 18a
-
Test Circuit for Measurement of
I
LM
, E
on
, E
off(diode)
, t
rr
, Q
rr
, I
rr
, t
d(on)
, t
r
, t
d(off)
, t
f
∫
t1
Vce ie dt
t2
5% Vce
Ic
Ipk
Vcc
10% Ic
Vce
t1
t2
DUT VOLTAGE
AND CURRENT
GATE VOLTAGE D.U.T.
+Vg
10% +Vg
90% Ic
tr
td(on)
DIODE REVERSE
RECOVERY ENERGY
tx
10% Vcc
Eon =
∫
t3
Erec =
t4
Vd id dt
t4
t3
DIODE RECOVERY
WAVEFORMS
Ic
Vpk
Irr
10% Irr
Vcc
trr
∫
tx
Qrr =
trr
id dt
Fig. 18c
-
Test Waveforms for Circuit of Fig. 18a,
Defining E
on
, t
d(on)
, t
r
Refer to Section D for the following:
Fig. 18d
-
Test Waveforms for Circuit of Fig. 18a,
Defining E
rec
, t
rr
, Q
rr
, I
rr
Appendix B: Section D - page D-4
Fig. 18e - Macro Waveforms for Test Circuit Fig. 18a
Fig. 19 - Clamped Inductive Load Test Circuit
Fig. 20 - Pulsed Collector Current Test Circuit
Package Outline 1
- JEDEC Outline TO-220AB
Section D - page D-12
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相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRGB4B60KD1PBF INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
IRGB4B60KPBF INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
IRGB5B120KDPBF INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
IRGB6B60KPBF INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
IRGB8B60KPbF INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRGB430UD2 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:Fit Rate / Equivalent Device Hours
IRGB440U 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:Fit Rate / Equivalent Device Hours
IRGB4B60K 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
IRGB4B60KD1 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
IRGB4B60KD1PBF 功能描述:IGBT 晶體管 600V Low-Vceon Non Punch Through RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
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