參數(shù)資料
型號： IRGB430U
廠商： International Rectifier
英文描述： INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=500V, @Vge=15V, Ic=15A)
中文描述： 絕緣柵雙極晶體管（VCES和\u003d的500V，@和VGE \u003d 15V的，集成電路\u003d 15A條）
文件頁數(shù)： 5/8頁
文件大?。?/td> 425K
代理商： IRGB430U
C-629
IRGB430UD2
Fig. 7 -
Typical Capacitance vs.
Collector-to-Emitter Voltage
Fig. 8
- Typical Gate Charge vs.
Gate-to-Emitter Voltage
Fig. 9
- Typical Switching Losses vs. Gate
Resistance
Fig. 10
- Typical Switching Losses vs.
Case Temperature
1.03
1.06
1.09
1.12
1.15
0
10
20
30
40
50
60
T
R , Gate Resistance (
)
A
V = 400V
V = 15V
T = 25°C
I = 15A
0.1
1
10
-60
-40
-20
T , Case Temperature (°C)
0
20
40
60
80
100
120 140
160
T
A
R = 23
V = 15V
V = 400V
I = 30A
I = 15A
I = 7.5A
0
200
400
600
800
1000
1200
1400
1
10
100
C
V , Collector-to-Emitter Voltage (V)
V = 0V, f = 1MHz
C = C + C , C SHORTED
C = C
C = C + C
C
ies
C
res
C
oes
0
4
8
12
16
20
0
10
20
30
40
G
V
Q , Total Gate Charge (nC)
V = 400V
I = 15A
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PDF描述
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IRGB5B120KDPBF INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
IRGB6B60KPBF INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
IRGB8B60KPbF INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
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IRGB4B60KD1PBF 功能描述:IGBT 晶體管 600V Low-Vceon Non Punch Through RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
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