參數(shù)資料
型號(hào)： IRG4PSH71U
廠(chǎng)商： International Rectifier
英文描述： INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
中文描述： 絕緣柵雙極晶體管
文件頁(yè)數(shù)： 1/8頁(yè)
文件大?。?/td> 271K
代理商： IRG4PSH71U
IRG4PSH71U
UltraFast Speed IGBT
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
PD - 91685
E
C
G
n-channel
Features
UltraFast switching speed optimized for operating
frequencies 8 to 40kHz in hard switching, 200kHz
in resonant mode soft switching
Generation 4 IGBT design provides tighter
parameter distribution and higher efficiency
(minimum switching and conduction losses) than
prior generations
Industry-benchmark Super-247 package with
higher power handling capability compared to
same footprint TO-247
Creepage distance increased to 5.35mm
Benefits
Generation 4 IGBT's offer highest efficiencies
available
Maximum power density, twice the power
handling of the TO-247, less space than TO-264
IGBTs optimized for specific application conditions
Cost and space saving in designs that require
multiple, paralleled IGBTs
V
CES
= 1200V
V
CE(on) typ.
= 2.50V
@V
GE
= 15V, I
C
= 50A
www.irf.com
1
SUPER - 247
Absolute Maximum Ratings
Parameter
Max.
1200
99
50
200
200
±20
150
350
140
Units
V
A
V
CES
I
C
@ T
C
= 25°C
I
C
@ T
C
= 100°C
I
CM
I
LM
V
GE
E
ARV
P
D
@ T
C
= 25°C
P
D
@ T
C
= 100°C Maximum Power Dissipation
T
J
Operating Junction and
T
STG
Storage Temperature Range
Storage Temperature Range, for 10 sec.
Thermal / Mechanical Characteristics
Collector-to-Emitter Voltage
Continuous Collector Current
Continuous Collector Current
Pulse Collector Current
Clamped Inductive Load current
Gate-to-Emitter Voltage
Reverse Voltage Avalanche Energy
Maximum Power Dissipation
V
mJ
W
-55 to +150
°C
300 (0.063 in. (1.6mm) from case)
Parameter
Min.
–––
–––
–––
20 (2.0)
–––
Typ.
–––
0.24
–––
Max.
0.36
–––
38
Units
°C/W
R
θ
JC
R
θ
CS
R
θ
JA
Junction-to-Case- IGBT
Case-to-Sink, flat, greased surface
Junction-to-Ambient, typical socket mount
Recommended Clip Force
Weight
N (kgf)
g (oz.)
Wt
6 (0.21)
–––
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRG4PSH71 INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=1200V, Vce(on)typ.=2.97V, @Vge=15V, Ic=42A)
IRG4PSH71K INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=1200V, Vce(on)typ.=2.97V, @Vge=15V, Ic=42A)
IRG4PSH71KD INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=1200V, Vce(on)typ.=2.97V, @Vge=15V, Ic=42A)
IRGB10B60KD INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
IRGS10B60KD INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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IRG4PSH71UDPBF 功能描述:IGBT 晶體管 1200V UltraFast 4-20kHz RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IRG4PSH71UPBF 功能描述:IGBT 晶體管 1200V UltraFast 8-40kHz RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IRG4RC10 制造商:IRF 制造商全稱(chēng):International Rectifier 功能描述:INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.39V, @Vge=15V, Ic=5.0A)
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