參數(shù)資料
型號(hào)： IRG4PSH71U
廠商： International Rectifier
英文描述： INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
中文描述： 絕緣柵雙極晶體管
文件頁數(shù)： 5/8頁
文件大?。?/td> 271K
代理商： IRG4PSH71U
IRG4PSH71U
www.irf.com
5
Fig. 10
- Typical Switching Losses vs.
Junction Temperature
Fig. 9
- Typical Switching Losses vs. Gate
Resistance
Fig. 8
- Typical Gate Charge vs.
Gate-to-Emitter Voltage
Fig. 7 -
Typical Capacitance vs.
Collector-to-Emitter Voltage
1
10
100
1000
VCE, Collector-to-Emitter Voltage (V)
0
2000
4000
6000
8000
10000
12000
14000
C
Coes
Cres
Cies
VGE = 0V, f = 1 MHZ
Cies = Cge + Cgc, Cce SHORTED
Cres = Cgc
Coes = Cce + Cgc
0
100
200
300
400
QG, Total Gate Charge (nC)
0
4
8
12
16
20
VG
VCC = 400V
IC = 70A
-60 -40 -20
0
20
40
60
80 100 120 140 160
TJ, Junction Temperature (°C)
1
10
100
1000
T
RG = 5.0
VGE = 15V
VCC = 960V
IC = 140A
IC = 70A
IC = 35A
0
10
20
30
40
RG, Gate Resistance (
)
10
15
20
25
S
V
CC = 960V
VGE = 15V
TJ = 25°C
I C = 70A
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PDF描述
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參數(shù)描述
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