參數(shù)資料
型號(hào): IRG4PSH71U
廠商: International Rectifier
英文描述: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
中文描述: 絕緣柵雙極晶體管
文件頁(yè)數(shù): 6/8頁(yè)
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代理商: IRG4PSH71U
IRG4PSH71U
6
www.irf.com
Fig. 12
- Turn-Off SOA
Fig. 11 -
Typical Switching Losses vs.
Collector-to-Emitter Current
20
40
60
80
100
120
140
IC, Collector Current (A)
0
10
20
30
40
50
60
70
T
RG = 5.0
TJ = 150°C
VGE = 15V
VCC = 960V
1
10
100
1000
10000
VCE, Collector-to-Emitter Voltage (V)
1
10
100
1000
IC
VGE = 20V
TJ = 125°
SAFE OPERATING AREA
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRG4PSH71 INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=1200V, Vce(on)typ.=2.97V, @Vge=15V, Ic=42A)
IRG4PSH71K INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=1200V, Vce(on)typ.=2.97V, @Vge=15V, Ic=42A)
IRG4PSH71KD INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=1200V, Vce(on)typ.=2.97V, @Vge=15V, Ic=42A)
IRGB10B60KD INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
IRGS10B60KD INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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IRG4PSH71UDPBF 功能描述:IGBT 晶體管 1200V UltraFast 4-20kHz RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
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IRG4RC10 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.39V, @Vge=15V, Ic=5.0A)
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