參數(shù)資料
型號： IRG4P254S
廠商： International Rectifier
英文描述： INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISOR
中文描述： 絕緣柵雙極型TRANSISOR
文件頁數(shù)： 5/8頁
文件大小： 134K
代理商： IRG4P254S
IRG4P254S
www.irf.com
5
Fig. 7 -
Typical Capacitance vs.
Collector-to-Emitter Voltage
Fig. 8
- Typical Gate Charge vs.
Gate-to-Emitter Voltage
Fig. 9
- Typical Switching Losses vs. Gate
Resistance
Fig. 10
- Typical Switching Losses vs.
Junction Temperature
R , Gate Resistance (Ohm)
1
10
100
0
2000
4000
6000
8000
V , Collector-to-Emitter Voltage (V)
C
V
C
C
C
=
=
=
=
0V,
C
C
C
ce
f = 1MHz
+ C
gc ,
+ C
C SHORTED
GE
ies
res
oes
ge
gc
gc
C
ies
C
oes
C
res
0
40
Q , Total Gate Charge (nC)
80
120
160
200
0
4
8
12
16
20
V
G
V
I
= 200V
= 55A
CC
C
-60 -40 -20
0
20
40
60
80 100 120 140 160
°
0.1
1
10
100
T , Junction Temperature ( C )
T
R = 5Ohm
V = 15V
V = 200V
I = A
110
I = A
55
I = A
27.5
0
10
20
30
40
50
3.0
4.0
5.0
T
V = 200V
V = 15V
T = 25 C
I = 55A
( )
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PDF描述
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