參數(shù)資料
型號(hào)： IRG4P254S
廠商： International Rectifier
英文描述： INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISOR
中文描述： 絕緣柵雙極型TRANSISOR
文件頁(yè)數(shù)： 3/8頁(yè)
文件大?。?/td> 134K
代理商： IRG4P254S
IRG4P254S
www.irf.com
3
Fig. 1
- Typical Load Current vs. Frequency
(Load Current = I
RMS
of fundamental)
Fig. 2
- Typical Output Characteristics
Fig. 3
- Typical Transfer Characteristics
1
10
100
1000
5
6
7
8
9
10
V , Gate-to-Emitter Voltage (V)
I
C
V = 50V
5μs PULSE WIDTH
T = 25 C
o
T = 150 C
o
0
20
40
60
80
100
120
0.1
1
10
100
f, Frequency (kHz)
A
60% of rated
voltage
I
Ideal diodes
Square wave:
For both:
Duty cycle: 50%
T = 125
°
C
T = 90
°
C
Gate drive as specified
Pow er D issipation = 40W
Triangular wave:
I
C lam p vo ltage:
80% of rated
L
1
10
100
1000
0.1
1
10
V , Collector-to-Emitter Voltage (V)
I
C
V = 15V
20μs PULSE WIDTH
T = 25 C
o
T = 150 C
o
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PDF描述
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參數(shù)描述
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