參數(shù)資料
型號： IRG4IBC20UDPBF
廠商： International Rectifier
英文描述： Zener Diode; Application: General; Pd (mW): 400; Vz (V): 5.4 to 5.7; Condition Iz at Vz (mA): 5; C (pF) max: -; Condition VR at C (V):   ESD (kV) min: -; Package: MHD
中文描述： 絕緣柵雙極型晶體管，超快軟恢復(fù)二極管
文件頁數(shù)： 10/11頁
文件大小： 316K
代理商： IRG4IBC20UDPBF
IRG4IBC20UDPbF
10
www.irf.com
Notes:
c
Repetitive rating: V
GE
=20V; pulse width limited by maximum junction tem-
perature (figure 20)
d
V
CC
=80%(V
CES
), V
GE
=20V, L=10μH, R
G
= 50
(figure 19)
e
Pulse width
≤
80μs; duty factor
≤
0.1%.
f
Pulse width 5.0μs, single shot.
g
t = 60s, f = 60Hz
TO-220 Full-Pak Package Outline
TO-220 Full-Pak Part Marking Information
WITH ASSEM BLY
LOT CODE 3432
ASSEMBLED O N WW 24 1999
IN THE ASSEM BLY LINE "K"
EXAMPLE:
THIS IS AN IRFI840G
PART NUM BER
LOT CODE
ASSEM BLY
INTERNATIO NAL
RECTIFIER
LOGO
34 32
924K
IRFI840G
DATE CODE
YEAR 9 = 1999
WEEK 24
LIN E K
"P" in assembly line
Note:
Data and specifications subject to change without notice.
IR WORLD HEADQUARTERS:
233 Kansas St., El Segundo, California 90245, USA Tel: (310) 252-7105
TAC Fax: (310) 252-7903
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.
12/03
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRG4IBC30KDPBF Replacement for Texas Instruments part number SN74LS151N. Buy from authorized manufacturer Rochester Electronics.
IRG4IBC30SPBF INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
IRG4IBC30UDPBF INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
IRG4MC40U INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
IRG4P254SPBF INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRG4IBC20W 功能描述:IGBT WARP 600V 11.8A TO-220FP RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> IGBT - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:1200V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開）:3V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件
IRG4IBC20W_04 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
IRG4IBC20WPBF 功能描述:IGBT 晶體管 600V Warp 60-150kHz RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IRG4IBC30F 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
IRG4IBC30FD 功能描述:IGBT W/DIODE 600V 20.3A TO-220FP RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> IGBT - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:1200V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開）:3V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件
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