參數(shù)資料
型號： IRG4BC40SPBF
廠商： International Rectifier
英文描述： INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR Standard Speed IGBT
中文描述： 絕緣柵雙極晶體管IGBT的標準速度
文件頁數(shù)： 5/8頁
文件大?。?/td> 590K
代理商： IRG4BC40SPBF
IRG4BC40SPbF
www.irf.com
5
Fig. 10
- Typical Switching Losses vs.
Junction Temperature
Fig. 9
- Typical Switching Losses vs. Gate
Resistance
Fig. 8
- Typical Gate Charge vs.
Gate-to-Emitter Voltage
Fig. 7 -
Typical Capacitance vs.
Collector-to-Emitter Voltage
0
1000
2000
3000
4000
1
10
100
C
V , Collector-to-Emitter Voltage (V)
A
V = 0V, f = 1MHz
C = C + C , C SHORTED
C = C
C = C + C
C
ies
C
res
C
oes
0
4
8
12
16
20
0
20
40
60
80
100
120
G
V
Q , Total Gate Charge (nC)
A
V = 400V
I = 31A
7.3
7.4
7.5
7.6
7.7
7.8
0
10
20
30
40
50
60
T
R , Gate Resistance (
)
A
V = 480V
V = 15V
T = 25°C
I = 31A
1
10
100
-60
-40
-20
T , Junction Temperature (°C)
0
20
40
60
80
100
120
140
160
T
R = 10
V = 15V
V = 480V
A
I = 62A
I = 31A
I = 16A
GE
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PDF描述
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