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參數(shù)資料
| 型號： | IRG4BC40F |
| 廠商： | International Rectifier |
| 英文描述： | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.50V, @Vge=15V, Ic=27A) |
| 中文描述： | 絕緣柵雙極TRANSISOR（VCES和\u003d 600V電壓的Vce（on）典型.\u003d 1.50V，@和VGE \u003d 15V的，集成電路\u003d 27A條） |
| 文件頁數(shù)： | 8/8頁 |
| 文件大?。?/td> | 167K |
| 代理商： | IRG4BC40F |
8
www.irf.com
0.55 (.022)
0.46 (.018)
3 X
2.92 (.115)
2.64 (.104)
1.32 (.052)
1.22 (.048)
- B -
4.69 (.185)
4.20 (.165)
3.78 (.149)
3.54 (.139)
- A -
6.47 (.255)
6.10 (.240)
1.15 (.045)
MIN
4.06 (.160)
3.55 (.140)
3 X
3.96 (.160)
3.55 (.140)
3 X
0.93 (.037)
0.69 (.027)
0.36 (.014) M B A M
10.54 (.415)
10.29 (.405)
2.87 (.113)
2.62 (.103)
15.24 (.600)
14.84 (.584)
14.09 (.555)
13.47 (.530)
1.40 (.055)
1.15 (.045)
3 X
2.54 (.100)
2X
1 2 3
4
CONFORMS TO JEDEC OUTLINE TO-220AB
D imensions in M illimeters and (Inches)
LEAD ASSIGNMENTS
1 - GATE
2 - COLLE CTOR
3 - EMITTER
4 - COLLE CTOR
NOTES:
1 DIMENSIONS & TOLER ANCING
PER ANSI Y14.5M, 1982.
2 CONTR OLLIN G DIMENSION : IN CH.
3 DIMENSIONS ARE SHOW N
MILLIMETERS (INCHES ).
4 CONFORMS TO JEDEC OU TLINE
TO-220AB.
IR WORLD HEADQUARTERS:
233 Kansas St., El Segundo, California 90245, USA Tel: (310) 252-7105
IR EUROPEAN REGIONAL CENTRE:
439/445 Godstone Rd, Whyteleafe, Surrey CR3 OBL, UK Tel: ++ 44 (0)20 8645 8000
IR CANADA:
15 Lincoln Court, Brampton, Ontario L6T3Z2, Tel: (905) 453 2200
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IR SOUTHEAST ASIA:
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IR TAIWAN:
16 Fl. Suite D. 207, Sec. 2, Tun Haw South Road, Taipei, 10673 Tel: 886-(0)2 2377 9936
Data and specifications subject to change without notice. 4/00
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| IRG4BC40K | 功能描述:IGBT UFAST 600V 42A TO-220AB RoHS:否 類別:分離式半導體產品 >> IGBT - 單路 系列:- 標準包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:1200V Vge, Ic時的最大Vce（開）:3V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 輸入類型:標準 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應商設備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件 |
| IRG4BC40KD | 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:Fit Rate / Equivalent Device Hours |
| IRG4BC40KPBF | 功能描述:IGBT 晶體管 600V ULTRAFAST 8-25KHZ DSCRETE IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
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