參數(shù)資料
型號(hào)： IRG4BC40F
廠商： International Rectifier
英文描述： INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.50V, @Vge=15V, Ic=27A)
中文描述： 絕緣柵雙極TRANSISOR（VCES和\u003d 600V電壓的Vce（on）典型.\u003d 1.50V，@和VGE \u003d 15V的，集成電路\u003d 27A條）
文件頁(yè)數(shù)： 3/8頁(yè)
文件大?。?/td> 167K
代理商： IRG4BC40F
www.irf.com
3
Fig. 1
- Typical Load Current vs. Frequency
(For square wave, I=I
RMS
of fundamental; for triangular wave, I=I
PK
)
Fig. 2
- Typical Output Characteristics
Fig. 3
- Typical Transfer Characteristics
1
10
100
1000
5
6
7
8
9
10
11
12
C
I
T = 25
°
C
T = 150
°
C
V , Gate-to-Emitter Voltage (V)
A
V = 50V
5μs PULSE WIDTH
1
10
100
1000
1
10
V , Collector-to-Emitter Voltage (V)
T = 150
°
C
J
T = 25
°
C
V = 15V
20μs PULSE WIDTH
A
I
C
L
0
10
20
30
40
50
60
0.1
1
10
100
f, Frequency (kHz)
A
60% of rated
voltage
I
Ideal diodes
Square wave:
F or both:
Duty cycle: 50%
TJ
°
C
Tsink
°
C
Gate drive as specified
Triangular wave:
I
C lamp voltage:
80% of rated
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRG4BC40SPBF INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR Standard Speed IGBT
IRG4BC40UPBF INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR UltraFast Speed IGBT
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IRG4BH20K-LPBF INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR ( VCES=1200V , VCE(on)typ.=3.17V , @VGE=15V.Ic=5.0A )
IRG4IBC10UDPBF INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE UltraFast Co-Pack IGBT
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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