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參數(shù)資料
| 型號： | IRG4BC30S-SPBF |
| 廠商： | International Rectifier |
| 英文描述： | LA-MachXO Automotive Non-Volatile PLD For Low-Density Applications; LUTs: 2280; Supply Voltage: 1.2V; I/Os: 271; Grade: -3; Package: Lead-Free ftBGA; Pins: 324; Temp.: AUTO |
| 中文描述： | 絕緣柵雙極晶體管IGBT的標(biāo)準(zhǔn)速度 |
| 文件頁數(shù)： | 10/10頁 |
| 文件大?。?/td> | 215K |
| 代理商： | IRG4BC30S-SPBF |
Note: For the most current drawings please refer to the IR website at:
http://www.irf.com/package/
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRG4BC30S | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.4V, @Vge=15V, Ic=18A) |
| IRG4BC30U-SPBF | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR |
| IRG4BC30UDPBF | General-Purpose Power-Supply Monitor and Sequence Controller; 48-TQFP |
| IRG4BC30U | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.95V, @Vge=15V, Ic=12A) |
| IRG4BC30W-SPBF | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IRG4BC30S-STRL | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 18A I(C) | TO-263AB |
| IRG4BC30S-STRLP | 功能描述:IGBT 模塊 600V DC-1 KHZ (STD) DISCRETE IGBT RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
| IRG4BC30S-STRR | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 18A I(C) | TO-263AB |
| IRG4BC30U | 功能描述:IGBT UFAST 600V 23A TO-220AB RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> IGBT - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:1200V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開）:3V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件 |
| IRG4BC30UD | 制造商:International Rectifier 功能描述:IGBT TO-220 |
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