參數(shù)資料
型號(hào)： IRG4BC30KD-SPBF
廠商： International Rectifier
英文描述： INSUKATED GATEBIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
中文描述： INSUKATED GATEBIPOLAR晶體管超快軟恢復(fù)二極管
文件頁數(shù)： 4/10頁
文件大?。?/td> 363K
代理商： IRG4BC30KD-SPBF
4
www.irf.com
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25
50
T , Case Temperature ( C)
75
100
125
°
150
0
5
10
15
20
25
30
M
0.01
0.00001
0.1
1
10
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
Notes:
1. Duty factor D = t / t
2. Peak T =P
x Z
+ T
2
DM
thJC
C
P
t
t
DM
1
2
t , Rectangular Pulse Duration (sec)
T
t
0.01
0.02
0.05
0.10
0.20
D = 0.50
SINGLE PULSE
(THERMAL RESPONSE)
-60 -40 -20
0
20
40
60
80 100 120 140 160
°
1.0
2.0
3.0
4.0
T , Junction Temperature ( C)
V
C
V = 15V
80 us PULSE WIDTH
I = A
8
I = A
16
I = A
32
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PDF描述
IRG4BC30K Insulated Gate Bipolar Transistors (IGBTs)(短路額定超快速絕緣柵型雙極型晶體管)
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IRG4BC30S INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.4V, @Vge=15V, Ic=18A)
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參數(shù)描述
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