參數(shù)資料
型號(hào)： IRG4BC30KD-SPBF
廠商： International Rectifier
英文描述： INSUKATED GATEBIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
中文描述： INSUKATED GATEBIPOLAR晶體管超快軟恢復(fù)二極管
文件頁(yè)數(shù)： 3/10頁(yè)
文件大?。?/td> 363K
代理商： IRG4BC30KD-SPBF
www.irf.com
3
0.1
1
10
100
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
f, Frequency (KHz)
L
!"#!$%&&'()*+,&'-%'(
For both:
Duty cycle: 50%
T = 125°C
T = 90°C
Gate drive as specified
Power Dissipation = W
60% of rated
voltage
I
Ideal diodes
Square wave:
!"
!"%)%).!&! )'&+) +
!"&!(+/'&.!&! )'&+) +
0.1
1
10
100
1
10
V , Collector-to-Emitter Voltage (V)
I
C
V = 15V
20μs PULSE WIDTH
T = 25 C
o
T = 150 C
o
0.1
1
10
100
5
10
15
V , Gate-to-Emitter Voltage (V)
I
C
V = 50V
5μs PULSE WIDTH
T = 25 C
o
T = 150 C
o
##$
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRG4BC30K Insulated Gate Bipolar Transistors (IGBTs)(短路額定超快速絕緣柵型雙極型晶體管)
IRG4BC30S-SPBF LA-MachXO Automotive Non-Volatile PLD For Low-Density Applications; LUTs: 2280; Supply Voltage: 1.2V; I/Os: 271; Grade: -3; Package: Lead-Free ftBGA; Pins: 324; Temp.: AUTO
IRG4BC30S INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.4V, @Vge=15V, Ic=18A)
IRG4BC30U-SPBF INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
IRG4BC30UDPBF General-Purpose Power-Supply Monitor and Sequence Controller; 48-TQFP
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRG4BC30KD-STRL 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans IGBT Chip N-CH 600V 28A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
IRG4BC30KDSTRLP 功能描述:IGBT 模塊 600V 23A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
IRG4BC30KD-STRR 功能描述:IGBT W/DIODE 600V 28A RGHT D2PAK RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> IGBT - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:1200V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開(kāi)）:3V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件
IRG4BC30KDSTRRP 功能描述:IGBT 模塊 600V ULTRAFAST 8-25 KHZ COPACK IGBT RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
IRG4BC30KPBF 功能描述:IGBT 晶體管 600V UltraFast 8-25kHz RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
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