參數(shù)資料
型號(hào)： IRG4BC30FD1PBF
廠商： International Rectifier
英文描述： Fast CoPack IGBT
中文描述： IGBT的快速CoPack
文件頁(yè)數(shù)： 9/11頁(yè)
文件大?。?/td> 426K
代理商： IRG4BC30FD1PBF
IRG4BC30FD1PbF
www.irf.com
9
Vg GATE SIGNAL
DEVICE UNDER TEST
CURRENT D.U.T.
VOLTAGE IN D.U.T.
CURRENT IN D1
t0
t1
t2
D.U.T.
V *
50V
L
1000V
6000μF
100V
Fig. 19
- Clamped Inductive Load Test Circuit
Fig. 20
- Pulsed Collector Current
Test Circuit
Fig.18e
- Macro Waveforms for
Figure 18a's
Test Circuit
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRG4BC30FD1 INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH HYPERFAST DIODE
IRG4BC30FDPBF LA-MachXO Automotive Non-Volatile PLD For Low-Density Applications; LUTs: 2280; Supply Voltage: 1.2V; I/Os: 211; Grade: -3; Package: Lead-Free ftBGA; Pins: 256; Temp.: AUTO
IRG4BC30FPBF Fast Speed IGBT INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
IRG4BC30K-S INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.21V, @Vge=15V, Ic=16A)
IRG4BC30KD-STRR INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.21V, @Vge=15V, Ic=16A)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRG4BC30FDPBF 功能描述:IGBT 晶體管 600V Fast 1-8kHz RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IRG4BC30FD-S 功能描述:IGBT W/DIODE 600V 31A D2PAK RoHS:否 類(lèi)別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> IGBT - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類(lèi)型:PT 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:1200V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開(kāi)）:3V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 輸入類(lèi)型:標(biāo)準(zhǔn) 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件
IRG4BC30FD-SPBF 功能描述:IGBT 晶體管 600V HYPERFAST 1-8 KHZ CO-PACK IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IRG4BC30FD-STRL 制造商:International Rectifier 功能描述:600V HYPERFAST 1-8 KHZ CO-PACK IGBT IN A D2-PAK PACKAGE - Tape and Reel
IRG4BC30FD-STRR 功能描述:DIODE IGBT 600V 31A COPAK D2PAK RoHS:否 類(lèi)別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> IGBT - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類(lèi)型:PT 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:1200V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開(kāi)）:3V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 輸入類(lèi)型:標(biāo)準(zhǔn) 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件
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