參數(shù)資料
型號(hào)： IRG4BC30FD1PBF
廠(chǎng)商： International Rectifier
英文描述： Fast CoPack IGBT
中文描述： IGBT的快速CoPack
文件頁(yè)數(shù)： 7/11頁(yè)
文件大小： 426K
代理商： IRG4BC30FD1PBF
IRG4BC30FD1PbF
www.irf.com
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100 200 300 400 500 600 700 800 900 1000
diF/dt (A/μs)
0
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125
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t
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TJ = 25°C _____
TJ = 125°C ----------
I
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Q
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200
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600
800
1000
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d
VR = 390V
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TJ = 125°C ----------
I
F = 16A
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5
10
15
20
IR
VR = 390V
TJ = 25°C _____
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I
F = 16A
IF = 8A
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRG4BC30FD1 INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH HYPERFAST DIODE
IRG4BC30FDPBF LA-MachXO Automotive Non-Volatile PLD For Low-Density Applications; LUTs: 2280; Supply Voltage: 1.2V; I/Os: 211; Grade: -3; Package: Lead-Free ftBGA; Pins: 256; Temp.: AUTO
IRG4BC30FPBF Fast Speed IGBT INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
IRG4BC30K-S INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.21V, @Vge=15V, Ic=16A)
IRG4BC30KD-STRR INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.21V, @Vge=15V, Ic=16A)
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參數(shù)描述
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IRG4BC30FD-SPBF 功能描述:IGBT 晶體管 600V HYPERFAST 1-8 KHZ CO-PACK IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IRG4BC30FD-STRL 制造商:International Rectifier 功能描述:600V HYPERFAST 1-8 KHZ CO-PACK IGBT IN A D2-PAK PACKAGE - Tape and Reel
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