參數(shù)資料
型號： IRG4BC30FD1PBF
廠商： International Rectifier
英文描述： Fast CoPack IGBT
中文描述： IGBT的快速CoPack
文件頁數(shù)： 5/11頁
文件大小： 426K
代理商： IRG4BC30FD1PBF
IRG4BC30FD1PbF
www.irf.com
5
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0
10
20
30
40
50
RG, Gate Resistance (
)
1600
1700
1800
1900
2000
T
VCE = 480V
VGE = 15V
TJ = 25°C
IC = 17A
1
10
100
1000
VCE, Collector-toEmitter-Voltage(V)
0
200
400
600
800
1000
1200
1400
1600
1800
2000
C
Cies
Coes
Cres
VGS = 0V, f = 1 MHZ
Cies = Cge + Cgd, Cce SHORTED
Cres = Cgc
Coes = Cce + Cgc
0
10
20
30
40
50
60
Q G, Total Gate Charge (nC)
0
2
4
6
8
10
12
14
VG
VCC = 400V
IC = 17A
-60 -40 -20
0
20
40
60
80 100 120 140 160
TJ, Juntion Temperature (°C)
0
1000
2000
3000
4000
5000
6000
7000
8000
9000
T
RG =
22
VGE = 15V
VCC = 480V
IC = 34A
IC = 8.5A
IC = 17A
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRG4BC30FD1 INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH HYPERFAST DIODE
IRG4BC30FDPBF LA-MachXO Automotive Non-Volatile PLD For Low-Density Applications; LUTs: 2280; Supply Voltage: 1.2V; I/Os: 211; Grade: -3; Package: Lead-Free ftBGA; Pins: 256; Temp.: AUTO
IRG4BC30FPBF Fast Speed IGBT INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
IRG4BC30K-S INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.21V, @Vge=15V, Ic=16A)
IRG4BC30KD-STRR INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.21V, @Vge=15V, Ic=16A)
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參數(shù)描述
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