- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄377515 > IRG4BC30FD-SPBF (International Rectifier) INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH HYPERFAST DIODE PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號(hào)： | IRG4BC30FD-SPBF |
| 廠商： | International Rectifier |
| 英文描述： | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH HYPERFAST DIODE |
| 中文描述： | 絕緣柵雙極型晶體管，二極管HYPERFAST |
| 文件頁數(shù)： | 12/12頁 |
| 文件大?。?/td> | 1182K |
| 代理商： | IRG4BC30FD-SPBF |
Note: For the most current drawings please refer to the IR website at:
http://www.irf.com/package/
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRG4BC30FD-S | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH HYPERFAST DIODE |
| IRG4BC30FD1PBF | Fast CoPack IGBT |
| IRG4BC30FD1 | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH HYPERFAST DIODE |
| IRG4BC30FDPBF | LA-MachXO Automotive Non-Volatile PLD For Low-Density Applications; LUTs: 2280; Supply Voltage: 1.2V; I/Os: 211; Grade: -3; Package: Lead-Free ftBGA; Pins: 256; Temp.: AUTO |
| IRG4BC30FPBF | Fast Speed IGBT INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IRG4BC30FD-STRL | 制造商:International Rectifier 功能描述:600V HYPERFAST 1-8 KHZ CO-PACK IGBT IN A D2-PAK PACKAGE - Tape and Reel |
| IRG4BC30FD-STRR | 功能描述:DIODE IGBT 600V 31A COPAK D2PAK RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> IGBT - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:1200V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開）:3V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件 |
| IRG4BC30FDSTRRP | 功能描述:IGBT 模塊 600V 31A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
| IRG4BC30FPBF | 功能描述:IGBT 晶體管 600V Fast 1-8kHz RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
| IRG4BC30F-S | 功能描述:IGBT FAST 600V 31A D2PAK RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> IGBT - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:1200V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開）:3V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件 |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。