參數(shù)資料
型號： IRG4BC30FD-S
廠商： International Rectifier
英文描述： INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH HYPERFAST DIODE
中文描述： 絕緣柵雙極型晶體管，二極管HYPERFAST
文件頁數(shù)： 1/11頁
文件大?。?/td> 1267K
代理商： IRG4BC30FD-S
IRG4BC30FD-S
Fast CoPack IGBT
PD - 96929
www.irf.com
1
=
E
G
n-channel
C
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH
HYPERFAST DIODE
Features
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D
2
Pak
Absolute Maximum Ratings
Parameter
Max.
600
31
17
120
120
12
120
±20
100
42
Units
V
V
CES
I
C
@ T
C
= 25°C
I
C
@ T
C
= 100°C
I
CM
I
LM
I
F
@ T
C
= 100°C
I
FM
V
GE
P
D
@ T
C
= 25°C
P
D
@ T
C
= 100°C Maximum Power Dissipation
T
J
Operating Junction and
T
STG
Storage Temperature Range
Thermal / Mechanical Characteristics
Collector-to-Emitter Voltage
Continuous Collector Current
Continuous Collector Current
Pulse Collector Current (Ref.Fig.C.T.5)
Clamped Inductive Load current
Diode Continuous Forward Current
Diode Maximum Forward Current
Gate-to-Emitter Voltage
Maximum Power Dissipation
A
V
W
-55 to +150
°C
Parameter
Min.
–––
–––
–––
–––
Typ.
–––
0.50
–––
2.0 (0.07)
Max.
1.2
–––
40
–––
Units
°C/W
R
θ
JC
R
θ
CS
R
θ
JA
Wt
Junction-to-Case- IGBT
Case-to-Sink, flat, greased surface
Junction-to-Ambient (PCB Mounted,steady state)
Weight
g (oz.)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRG4BC30FD1PBF Fast CoPack IGBT
IRG4BC30FD1 INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH HYPERFAST DIODE
IRG4BC30FDPBF LA-MachXO Automotive Non-Volatile PLD For Low-Density Applications; LUTs: 2280; Supply Voltage: 1.2V; I/Os: 211; Grade: -3; Package: Lead-Free ftBGA; Pins: 256; Temp.: AUTO
IRG4BC30FPBF Fast Speed IGBT INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
IRG4BC30K-S INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.21V, @Vge=15V, Ic=16A)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRG4BC30FD-SPBF 功能描述:IGBT 晶體管 600V HYPERFAST 1-8 KHZ CO-PACK IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IRG4BC30FD-STRL 制造商:International Rectifier 功能描述:600V HYPERFAST 1-8 KHZ CO-PACK IGBT IN A D2-PAK PACKAGE - Tape and Reel
IRG4BC30FD-STRR 功能描述:DIODE IGBT 600V 31A COPAK D2PAK RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> IGBT - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:1200V Vge, Ic時的最大Vce（開）:3V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件
IRG4BC30FDSTRRP 功能描述:IGBT 模塊 600V 31A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
IRG4BC30FPBF 功能描述:IGBT 晶體管 600V Fast 1-8kHz RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
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