參數(shù)資料
型號： IRG4BC20UD-SPBF
廠商： International Rectifier
英文描述： INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
中文描述： 絕緣柵雙極型晶體管，超快軟恢復(fù)二極管
文件頁數(shù)： 5/11頁
文件大?。?/td> 311K
代理商： IRG4BC20UD-SPBF
IRG4BC20UD-SPbF
www.irf.com
5
Fig. 7 -
Typical Capacitance vs.
Collector-to-Emitter Voltage
Fig. 8
- Typical Gate Charge vs.
Gate-to-Emitter Voltage
Fig. 9
- Typical Switching Losses vs. Gate
Resistance
Fig. 10
- Typical Switching Losses vs.
Junction Temperature
0
200
400
600
800
1000
1
10
100
C
V , Collector-to-Emitter Voltage (V)
A
V = 0V, f = 1MHz
C = C + C , C SHORTED
C = C
C = C + C
C
ies
C
res
C
oes
0
4
8
12
16
20
0
5
10
15
20
25
30
V
Q , Total Gate Charge (nC)
A
V = 400V
I = 6.5A
C
CE
0.1
1
10
-60
-40
-20
T , Junction Temperature (°C)
0
20
40
60
80
100
120
140
160
T
A
I = 13A
I = 6.5A
I = 3.3A
R = 50
V = 15V
V = 480V
0.29
0.30
0.31
0.32
0
10
20
30
40
50
60
T
A
V = 480V
V = 15V
T = 25°C
I = 6.5A
C
R , Gate Resistance (
)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRG4BC20UDPBF UltraFast CoPack IGBT
IRG4BC20UPBF Replacement for Texas Instruments part number SN74LS157N. Buy from authorized manufacturer Rochester Electronics.
IRG4BC20U INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.85V, @Vge=15V, Ic=6.5A)
IRG4BC20W Insulated Gate Bipolar Transistors (IGBTs)(絕緣柵型雙極型晶體管)
IRG4BC30FD-SPBF INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH HYPERFAST DIODE
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參數(shù)描述
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