參數(shù)資料
型號： IRG4BC20UDPBF
廠商： International Rectifier
英文描述： UltraFast CoPack IGBT
中文描述： 超快速IGBT的CoPack
文件頁數(shù)： 1/11頁
文件大?。?/td> 356K
代理商： IRG4BC20UDPBF
Features
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www.irf.com
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相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRG4BC20UPBF Replacement for Texas Instruments part number SN74LS157N. Buy from authorized manufacturer Rochester Electronics.
IRG4BC20U INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.85V, @Vge=15V, Ic=6.5A)
IRG4BC20W Insulated Gate Bipolar Transistors (IGBTs)(絕緣柵型雙極型晶體管)
IRG4BC30FD-SPBF INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH HYPERFAST DIODE
IRG4BC30FD-S INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH HYPERFAST DIODE
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRG4BC20UDS 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.85V, @Vge=15V, Ic=6.5A)
IRG4BC20UD-S 功能描述:IGBT W/DIODE 600V 13A D2PAK RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> IGBT - 單路 系列:- 標準包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:1200V Vge, Ic時的最大Vce（開）:3V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 輸入類型:標準 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件
IRG4BC20UD-SPBF 功能描述:IGBT 晶體管 600V ULTRAFAST 8-60 KHZ COPACK IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IRG4BC20UD-STRL 功能描述:DIODE IGBT 600V 13A COPAK D2PAK RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> IGBT - 單路 系列:- 標準包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:1200V Vge, Ic時的最大Vce（開）:3V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 輸入類型:標準 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件
IRG4BC20UDSTRLP 功能描述:IGBT ULT FAST 600V 13A D2PAK RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> IGBT - 單路 系列:- 標準包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:1200V Vge, Ic時的最大Vce（開）:3V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 輸入類型:標準 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件
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