參數(shù)資料
型號： IRG4BC20UD-SPBF
廠商： International Rectifier
英文描述： INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
中文描述： 絕緣柵雙極型晶體管，超快軟恢復(fù)二極管
文件頁數(shù)： 3/11頁
文件大小： 311K
代理商： IRG4BC20UD-SPBF
IRG4BC20UD-SPbF
www.irf.com
3
Fig. 1
- Typical Load Current vs. Frequency
(Load Current = I
RMS
of fundamental)
Fig. 2
- Typical Output Characteristics
Fig. 3
- Typical Transfer Characteristics
0
2
4
6
8
10
12
0.1
1
10
100
f, Frequency (kHz)
L
A
60% of rated
voltage
Duty cycle: 50%
J
Tsink
Gate drive as specified
Turn-on losses include
effects of reverse recovery
Power Dissipation = 13W
0.1
1
10
100
4
6
8
10
12
C
I
T = 25°C
T = 150°C
V , Gate-to-Emitter Voltage (V)
A
V = 10V
5μs PULSE WIDTH
0.1
1
10
100
0.1
1
10
C
I
V , Collector-to-Emitter Voltage (V)
T = 150°C
T = 25°C
A
V = 15V
20μs PULSE WIDTH
GE
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRG4BC20UDPBF UltraFast CoPack IGBT
IRG4BC20UPBF Replacement for Texas Instruments part number SN74LS157N. Buy from authorized manufacturer Rochester Electronics.
IRG4BC20U INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.85V, @Vge=15V, Ic=6.5A)
IRG4BC20W Insulated Gate Bipolar Transistors (IGBTs)(絕緣柵型雙極型晶體管)
IRG4BC30FD-SPBF INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH HYPERFAST DIODE
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRG4BC20UD-STRL 功能描述:DIODE IGBT 600V 13A COPAK D2PAK RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> IGBT - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:1200V Vge, Ic時的最大Vce（開）:3V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件
IRG4BC20UDSTRLP 功能描述:IGBT ULT FAST 600V 13A D2PAK RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> IGBT - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:1200V Vge, Ic時的最大Vce（開）:3V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件
IRG4BC20UD-STRR 功能描述:DIODE IGBT 600V 13A COPAK D2PAK RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> IGBT - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:1200V Vge, Ic時的最大Vce（開）:3V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件
IRG4BC20UDSTRRP 功能描述:IGBT 模塊 600V 13A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
IRG4BC20UPBF 功能描述:IGBT 晶體管 600V UltraFast 8-60kHz RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
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