參數(shù)資料
型號(hào)： IRG4BC15UDPBF
廠(chǎng)商： International Rectifier
英文描述： INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
中文描述： 絕緣柵雙極型晶體管，超快軟恢復(fù)二極管
文件頁(yè)數(shù)： 5/10頁(yè)
文件大?。?/td> 274K
代理商： IRG4BC15UDPBF
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-60 -40 -20
0
20
40
60
80 100 120 140 160
TJ, Junction Temperature (°C)
0.1
1
10
T
RG = 75
VGE = 15V
VCC = 480V
IC = 14A
IC = 7.8A
IC = 3.9A
0
5
Q , Total Gate Charge (nC)
10
15
20
25
0
4
8
12
16
20
V
G
V
I
= 400V
= 7.8A
CC
C
1
10
100
0
200
400
600
800
V , Collector-to-Emitter Voltage (V)
C
V
C
C
C
=
=
=
=
0V,
C
C
C
ce
f = 1MHz
+ C
gc ,
+ C
C SHORTED
GE
ies
res
oes
ge
gc
gc
C
ies
C
oes
C
res
0
10
20
30
40
50
RG, Gate Resistance (
)
0.42
0.44
0.46
0.48
T
VCC = 480V
VGE = 15V
TJ = 25°C
I C = 7.8A
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRG4BC20FDPBF INSULATED GATEBIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFR RECOVERY DIODE
IRG4BC20FD INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.66V, @Vge=15V, Ic=9.0A)
IRG4BC20FD-S INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.66V, @Vge=15V, Ic=9.0A)
IRG4BC20FD-STRL CAP 0.01UF 25V 10% X7R SMD-0508 TR-7 PLATED-NI/SN
IRG4BC20KDS CAP 50UF 5.5V +80-20% SUPERCAP EXT-SO ULTRA-LOWESR HIGH-PWR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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IRG4BC20F 功能描述:IGBT FAST 600V 16A TO-220AB RoHS:否 類(lèi)別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> IGBT - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類(lèi)型:PT 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:1200V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開(kāi)）:3V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 輸入類(lèi)型:標(biāo)準(zhǔn) 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件
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