參數(shù)資料
型號： IRG4BC15UDPBF
廠商： International Rectifier
英文描述： INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
中文描述： 絕緣柵雙極型晶體管，超快軟恢復二極管
文件頁數(shù)： 2/10頁
文件大小： 274K
代理商： IRG4BC15UDPBF
Parameter
Q
g
Total Gate Charge (turn-on)
Qge
Gate - Emitter Charge (turn-on)
Q
gc
Gate - Collector Charge (turn-on)
t
d(on)
Turn-On Delay Time
t
r
Rise Time
t
d(off)
Turn-Off Delay Time
t
f
Fall Time
E
on
Turn-On Switching Loss
E
off
Turn-Off Switching Loss
E
ts
Total Switching Loss
t
d(on)
Turn-On Delay Time
t
r
Rise Time
t
d(off)
Turn-Off Delay Time
t
f
Fall Time
E
ts
Total Switching Loss
L
E
Internal Emitter Inductance
C
ies
Input Capacitance
C
oes
Output Capacitance
C
res
Reverse Transfer Capacitance
t
rr
Diode Reverse Recovery Time
Min. Typ. Max. Units
–––
23
–––
4.0
–––
9.6
–––
17
–––
20
–––
160
–––
83
–––
0.24
–––
0.26
–––
0.50 0.63
–––
16
–––
21
–––
180
–––
220
–––
0.76
–––
7.5
–––
410
–––
37
–––
5.3
–––
28
–––
38
–––
2.9
–––
3.7
–––
40
–––
70
–––
280
–––
240
Conditions
35
6.0
14
–––
–––
240
120
–––
–––
I
C
= 7.8A
V
CC
= 400V
V
GE
= 15V
T
J
= 25°C
I
C
= 7.8A, V
CC
= 480V
V
GE
= 15V, R
G
= 75
Energy losses include "tail" and
diode reverse recovery.
nC
ns
mJ
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
42
57
5.2
6.7
60
110
–––
–––
T
J
= 150°C,
I
C
= 7.8A, V
CC
= 480V
V
GE
= 15V, R
G
= 75
Energy losses include "tail" and
diode reverse recovery.
Measured 5mm from package
V
GE
= 0V
V
CC
= 30V
= 1.0MHz
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C V
R
= 200V
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C di/dt 200A/μs
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
ns
mJ
nH
pF
ns
I
F
= 4.0A
I
rr
Diode Peak Reverse Recovery Current
A
Q
rr
Diode Reverse Recovery Charge
nC
di
(rec)M
/dt
Diode Peak Rate of Fall of Recovery
During t
b
A/μs
Parameter
V
(BR)CES
Collector-to-Emitter Breakdown Voltage
V
(BR)CES
/
T
J
Temperature Coeff. of Breakdown Voltage
V
CE(on)
Collector-to-Emitter Saturation Voltage
Min. Typ. Max. Units
600
–––
–––
0.63
–––
2.02
–––
2.56
–––
2.21
3.0
–––
-10
4.1
6.2
–––
–––
–––
––– 1400
–––
1.5
–––
1.4
–––
––– ±100
Conditions
–––
–––
2.4
–––
–––
6.0
––– mV/°C V
CE
= V
GE
, I
C
= 250μA
–––
S
V
CE
= 100V, I
C
= 7.8A
250
μA
V
GE
= 0V, V
CE
= 600V
V
GE
= 0V, V
CE
= 600V, T
J
= 150°C
1.8
V
I
C
= 4.0A
1.7
I
C
= 4.0A, T
J
= 150°C
nA
V
GE
= ±20V
V
V
GE
= 0V, I
C
= 250μA
V
GE
= 0V, I
C
= 1.0mA
I
C
= 7.8A
I
C
= 14A
I
C
= 7.8A, T
J
= 150°C
V
CE
= V
GE
, I
C
= 250μA
V/°C
V
GE
= 15V
V
V
GE(th)
V
GE(th)
/
T
J
Temperature Coeff. of Threshold Voltage –––
g
fe
Forward Transconductance
I
CES
Zero Gate Voltage Collector Current
Gate Threshold Voltage
V
FM
Diode Forward Voltage Drop
I
GES
Gate-to-Emitter Leakage Current
Switching Characteristics @ T
J
= 25°C (unless otherwise specified)
Electrical Characteristics @ T
J
= 25°C (unless otherwise specified)
相關PDF資料
PDF描述
IRG4BC20FDPBF INSULATED GATEBIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFR RECOVERY DIODE
IRG4BC20FD INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.66V, @Vge=15V, Ic=9.0A)
IRG4BC20FD-S INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.66V, @Vge=15V, Ic=9.0A)
IRG4BC20FD-STRL CAP 0.01UF 25V 10% X7R SMD-0508 TR-7 PLATED-NI/SN
IRG4BC20KDS CAP 50UF 5.5V +80-20% SUPERCAP EXT-SO ULTRA-LOWESR HIGH-PWR
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
IRG4BC15UD-S 功能描述:DIODE IGBT 600V 14A D2PAK RoHS:否 類別:分離式半導體產品 >> IGBT - 單路 系列:- 標準包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:1200V Vge, Ic時的最大Vce（開）:3V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 輸入類型:標準 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應商設備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件
IRG4BC15UD-SPBF 功能描述:IGBT 晶體管 600V ULTRAFAST 10-30KHZ COPACK IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IRG4BC15UD-STRL 功能描述:DIODE IGBT 600V 5.5A COPAK D2PAK RoHS:否 類別:分離式半導體產品 >> IGBT - 單路 系列:- 標準包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:1200V Vge, Ic時的最大Vce（開）:3V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 輸入類型:標準 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應商設備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件
IRG4BC15UDSTRLP 功能描述:IGBT 模塊 600V 7.800A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
IRG4BC20F 功能描述:IGBT FAST 600V 16A TO-220AB RoHS:否 類別:分離式半導體產品 >> IGBT - 單路 系列:- 標準包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:1200V Vge, Ic時的最大Vce（開）:3V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 輸入類型:標準 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應商設備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*